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PESD9V0W1BCSFYL 发布时间 时间:2025/9/14 3:50:01 查看 阅读:14

PESD9V0W1BCSFYL是一款由Nexperia(安世半导体)生产的单向静电放电(ESD)保护二极管,专为低压信号线路中的瞬态电压抑制而设计。该器件采用小型DFN1006BD-2封装(1.0 x 0.6 mm),适用于空间受限的便携式电子设备。其主要功能是在如IEC 61000-4-2规定的工业标准下的ESD事件中保护敏感的电子电路。PESD9V0W1BCSFYL具有低钳位电压、快速响应时间和低电容等特性,使其非常适合用于高速数据线和接口的保护,例如USB、HDMI和以太网。

参数

工作电压: 9.0 V
  击穿电压(Min): 10.5 V
  击穿电压(Typ): 11.1 V
  最大钳位电压(Ipp=1.43A): 17.5 V
  反向漏电流(Max): 100 nA
  电容(@1 MHz): 40 pF
  ESD耐受能力(IEC 61000-4-2): ±30 kV
  封装类型: DFN1006BD-2

特性

PESD9V0W1BCSFYL具备多项显著特性,确保其在各种应用中提供高效的静电放电保护。
  首先,其工作电压为9.0 V,适用于需要保护的低压电路环境,同时具备10.5 V的最小击穿电压和11.1 V的典型击穿电压,确保在正常工作条件下不会对电路造成干扰。在受到静电放电冲击时,该器件可以快速响应,并将电压限制在安全范围内,其最大钳位电压在1.43 A的峰值脉冲电流下为17.5 V,有效降低对被保护电路的损害风险。
  此外,PESD9V0W1BCSFYL具有极低的反向漏电流,最大值仅为100 nA,这有助于减少电路中的静态功耗,提高系统效率。其电容值在1 MHz条件下为40 pF,特别适合用于高速数据传输线路的保护,因为低电容不会对信号完整性造成显著影响。
  该器件还符合IEC 61000-4-2标准,能够承受高达±30 kV的静电放电冲击,提供出色的抗静电能力。结合其紧凑的DFN1006BD-2封装(尺寸为1.0 x 0.6 mm),PESD9V0W1BCSFYL非常适合用于现代便携式设备,如智能手机、平板电脑和可穿戴设备等,这些设备对空间和性能都有较高要求。
  综上所述,PESD9V0W1BCSFYL凭借其高ESD耐受能力、低钳位电压、低电容和小型封装等特性,成为高速信号线路和低压电路中理想的静电保护解决方案。

应用

PESD9V0W1BCSFYL广泛应用于需要静电放电保护的各种电子设备中。由于其低电容和高速响应特性,该器件特别适合用于保护高速数据接口,例如USB 2.0、HDMI和以太网端口,以防止静电放电造成的损坏。此外,PESD9V0W1BCSFYL还常用于便携式电子产品,如智能手机、平板电脑和笔记本电脑,以提高设备的可靠性和耐用性。它还可用于工业控制系统、通信设备和消费类电子产品,以保护敏感的电子元件免受静电放电和其他瞬态电压的影响。

替代型号

PESD9V0W1BCS, PESD9V0S1BL, PESD9V0S1BA, PESD9V0W1BAX

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PESD9V0W1BCSFYL参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 类型-
  • 单向通道-
  • 双向通道-
  • 电压 - 反向断态(典型值)-
  • 电压 - 击穿(最小值)-
  • 不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值)-
  • 电流 - 峰值脉冲 (10/1000μs)-
  • 功率 - 峰值脉冲-
  • 电源线路保护
  • 应用-
  • 不同频率时电容-
  • 工作温度-
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳0201(0603 公制)
  • 供应商器件封装DSN0603-2