时间：2025/6/25 22:23:57
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PESD5V0X2UAMB 是一款基于硅雪崩技术的双向瞬态电压抑制 (TVS) 二极管，专为保护高速数据线路和信号接口免受静电放电 (ESD)、电气快速瞬变 (EFT) 和其他过压事件的影响而设计。该器件具有超低电容特性，非常适合用于高速通信接口（如 USB、HDMI 和以太网）中的保护应用。
该 TVS 二极管采用了紧凑型封装形式，能够在不显著影响信号完整性的前提下提供强大的保护功能。
工作电压：5V
峰值脉冲电流：±18A
击穿电压：6.8V
箝位电压：13.4V
响应时间：≤1ps
结电容：0.35pF
漏电流：≤1μA（@VRWM=6V）
封装类型：DFN1006-2
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
PESD5V0X2UAMB 提供了卓越的 ESD 防护能力，其低电容和低箝位电压特性确保了在高速数据线路上的应用中不会对信号质量造成显著影响。
该器件采用小型化的 DFN1006-2 封装，能够节省 PCB 空间，并且适用于各种便携式电子设备。
此外，它具备快速的响应时间（≤1ps），可以有效抑制瞬态电压尖峰，从而保护敏感的电子元件免受损害。
PESD5V0X2UAMB 符合 AEC-Q101 标准，使其适合于汽车级应用，同时符合 RoHS 和无卤素要求，满足环保法规的需求。
PESD5V0X2UAMB 广泛应用于需要高效 ESD 和过压保护的场景，包括但不限于：
- 高速数据接口（USB 2.0/3.0、HDMI、DisplayPort 等）
- 汽车电子系统（CAN 总线、LIN 总线等）
- 工业自动化设备
- 无线通信模块
- 消费类电子产品（智能手机、平板电脑、笔记本电脑等）
PESD5V0X1B, PESD5V0UA1B
