PESD5V0V1BSF 是一款由 NXP(恩智浦)生产的低电容瞬态电压抑制 (TVS) 二极管阵列,专门设计用于保护高速数据线免受静电放电 (ESD)、电气快速瞬变 (EFT) 和其他过压事件的影响。这款器件采用 SOT23 封装,具有超低的动态电阻和快速响应时间,非常适合消费电子、通信设备以及工业应用中的接口保护。
该型号主要应用于 USB 2.0、USB 3.0 和其他高速差分信号线路中,提供高可靠性和稳健的保护性能。
额定电压:5V
最大箝位电压:9.6V
电容:1.1pF
动态电阻:0.4Ω
峰值脉冲电流:±15A
响应时间:≤1ps
工作温度范围:-55℃ 至 +150℃
PESD5V0V1BSF 具有以下关键特性:
1. 极低的负载电容(1.1pF),确保对高速信号的最小干扰。
2. 快速响应时间(≤1ps),能够迅速抑制瞬态过压事件。
3. 高度可靠的 ESD 保护能力,符合 IEC 61000-4-2 标准,可承受 ±15kV 接触放电和 ±30kV 空气放电。
4. 小型化封装(SOT23),适合空间受限的应用场景。
5. 符合 RoHS 标准,环保且无铅。
6. 动态电阻仅为 0.4Ω,降低了功率损耗并提高了保护效率。
7. 宽工作温度范围(-55℃ 至 +150℃),适用于各种环境条件。
PESD5V0V1BSF 主要应用于以下领域:
1. 高速数据接口保护,如 USB 2.0、USB 3.0、HDMI、DisplayPort 和 SATA。
2. 移动设备和消费电子产品,例如智能手机、平板电脑、笔记本电脑和其他便携式设备。
3. 工业控制设备和通信模块的信号线路保护。
4. 汽车电子系统中的 CAN 总线、LIN 总线等接口防护。
5. 网络设备中的以太网端口和 RS-232/RS-485 接口保护。
PESD5V0UA1BSF
PESD5V0UT1BA
PESD5V0UC1BSF