时间：2025/5/8 14:37:39
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PESD5V0V1BL 是一款基于硅技术的低电容 TVS（瞬态电压抑制器）二极管，专为高速信号线和数据接口提供强大的 ESD（静电放电）保护而设计。该器件具有超低的电容特性（典型值为 0.6pF），能够有效避免对高频信号的影响。它支持双向保护，适合于差分数据传输线路的应用场景。
工作电压：5V
峰值脉冲电流：±9.1A
钳位电压：7.4V
响应时间：≤1ps
结电容：0.6pF
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
封装形式：0201 (0603 英制)
ESD 防护能力：±30kV (空气放电), ±30kV (接触放电)
PESD5V0V1BL 提供了卓越的 ESD 防护性能，同时保持了极低的电容值，确保其适用于高速数据线的保护。该器件具有以下特点：
- 超低电容（0.6pF），减少了对高速信号完整性的影响。
- 快速响应时间（≤1ps），可迅速抑制瞬态电压尖峰。
- 双向保护结构使其非常适合用于差分信号线路，例如 USB、HDMI 和其他高速接口。
- 工作电压精准稳定在 5V，符合常见的电源轨要求。
- 小尺寸封装（0201），有助于节省 PCB 空间。
- 符合 RoHS 标准，环保无铅工艺。
- 能够承受高能量 ESD 冲击（±30kV），保证设备的可靠性。
PESD5V0V1BL 主要应用于需要高性能 ESD 保护的高速数据传输场景，包括但不限于以下领域：
- USB 2.0/3.0 数据线保护
- HDMI 接口保护
- DisplayPort 接口保护
- 以太网端口保护
- 移动设备中的射频线路保护
- 汽车电子中的高速通信线路保护
- 工业自动化设备中的数据接口防护
PESD5V0UA, PESD5V0U1B, SMAJ5.0A
