时间：2025/7/4 3:47:51
阅读：19
PESD5V0V1BB-N 是一款基于硅技术的高性能瞬态电压抑制 (TVS) 二极管，专为保护敏感电子设备免受静电放电 (ESD) 和其他瞬态电压威胁而设计。该器件采用超小型封装，适用于高密度电路板布局，并提供卓越的钳位性能和低电容特性，确保信号完整性的同时实现高效保护。
其双向对称设计支持正负双向过压保护，非常适合高速数据线路和射频应用。此外，该器件符合 AEC-Q101 标准，可广泛应用于汽车和工业领域。
额定电压：5V
峰值脉冲电流：78A
最大箝位电压：9.6V
动态电阻：0.3Ω
结电容：1.2pF
响应时间：1ps
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
封装形式：DFN1006-2
1. 高度可靠的 ESD 保护能力，符合 IEC 61000-4-2 标准（接触放电 ±30kV，空气放电 ±30kV）。
2. 极低的结电容（1.2pF），适合高速数据接口。
3. 双向对称结构，支持正负双向过压防护。
4. 小型化封装（1.0mm x 0.6mm），节省 PCB 空间。
5. 超快响应时间（1ps），能够迅速抑制瞬态电压。
6. 符合 RoHS 和 REACH 标准，环保无铅设计。
7. 在严苛环境下具有出色的稳定性，适合汽车和工业级应用。
PESD5V0V1BB-N 广泛用于需要高速信号传输和高可靠性保护的应用场景，例如：
1. USB 2.0/3.0、HDMI、DisplayPort 等高速数据接口的 ESD 保护。
2. 汽车信息娱乐系统中的 CAN 总线、LIN 总线和MOST 数据线防护。
3. 移动通信设备（如智能手机、平板电脑）中的射频前端保护。
4. 工业自动化设备中的传感器接口和控制信号线路防护。
5. 医疗设备中的关键信号链路保护。
PESD5V0UA1BG, PESD5V0UC, SM712
