时间：2025/9/14 11:04:43
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PESD5V0U4BW,115是一款由NXP Semiconductors（恩智浦半导体）生产的静电放电（ESD）保护二极管阵列，主要用于保护高速数据线路免受静电放电和瞬态电压的损害。该器件采用小型DFN（Dual Flat No-lead）封装，适用于USB、HDMI、以太网和其他高速接口等对空间要求较高的应用。PESD5V0U4BW,115具有低电容、快速响应时间和高可靠性，是现代电子设备中常用的电路保护元件。
制造商：NXP Semiconductors
产品类型：ESD保护二极管阵列
封装类型：DFN
工作电压：5V
钳位电压（典型值）：13V（在IEC 61000-4-2 Level 4条件下）
反向截止电压：5V
最大峰值脉冲电流（IPP）：2A（每通道）
引脚数：6
工作温度范围：-55°C至+150°C
存储温度范围：-65°C至+150°C
ESD保护等级：IEC 61000-4-2 Level 4（±8kV接触放电，±15kV空气放电）
低电容：0.3 pF（典型值）
PESD5V0U4BW,115具有多项出色的电气和物理特性，适用于高性能电子设备中的ESD保护。首先，其低电容特性（仅0.3pF）确保了在高速信号传输过程中不会引入显著的信号失真或延迟，因此非常适合用于USB 2.0、HDMI、LVDS和其他高频数据线路的保护。其次，该器件采用DFN6封装，体积小巧，便于在空间受限的PCB布局中使用，同时具有良好的热管理和机械稳定性。
该器件的工作电压为5V，能够有效钳制高达13V的瞬态电压（在IEC 61000-4-2 Level 4测试条件下），从而为下游电路提供可靠的保护。每个通道的最大峰值脉冲电流为2A，具备较强的抗浪涌能力。此外，PESD5V0U4BW,115的响应时间非常短，能够在纳秒级内对静电放电事件作出反应，有效防止瞬态电压对敏感电子元件造成损坏。
其工作温度范围为-55°C至+150°C，适用于各种工业和消费类电子环境。该器件符合RoHS和REACH环保标准，且无卤素，符合现代电子产品对环保和可持续性的要求。
PESD5V0U4BW,115广泛应用于需要高速信号保护的电子设备中。典型应用包括USB接口（如Type-A、Type-B和Type-C）、HDMI端口、以太网接口、DisplayPort、LVDS线路以及各种高速数据通信接口。由于其低电容和快速响应特性，它特别适合用于保护高速信号线免受静电放电、电气快速瞬变（EFT）和雷击浪涌的影响。
该器件也常见于便携式电子产品（如智能手机、平板电脑、笔记本电脑）、工业控制设备、网络交换机、路由器、机顶盒、视频监控系统以及汽车电子系统中的接口保护。在汽车应用中，它可以用于保护车载信息娱乐系统（IVI）、摄像头接口和高速CAN总线线路。
PESD5V0U4B,115; PESD5V0U4BF,115; ESD5582; ESDA6V1W5B; TPD3E001
