时间：2025/5/8 8:54:56
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PESD5V0U1UT 是一款超低电容 (Ciss < 1 pF) 的双向 TVS（瞬态电压抑制）二极管，设计用于保护高速数据接口免受 ESD（静电放电）、雷击浪涌和其他瞬态电压的损害。该器件采用超紧凑型 UDFN1016-2 封装，适合空间受限的应用场景。
该 TVS 二极管具有极低的电容特性，能够确保信号完整性不受影响，同时提供强大的 ESD 防护能力，符合 IEC61000-4-2 标准，可承受 ±30kV 的接触放电和 ±30kV 的空气放电。
工作电压：5V
峰值脉冲电流：7A
箝位电压：8.4V
响应时间：典型值 1ps
结电容：典型值 0.6pF
最大反向工作电压：5V
最大正向电流：1A
封装类型：UDFN1016-2
PESD5V0U1UT 提供了以下显著特性：
1. 超低结电容（<1pF），适用于高速数据线保护。
2. 高度可靠的 ESD 保护功能，符合 IEC61000-4-2 标准。
3. 双向保护设计，可有效抑制正负方向的瞬态电压。
4. 小尺寸封装，适合高密度 PCB 布局。
5. 稳定的性能表现，能够在极端环境下保持可靠性。
6. 广泛的工作温度范围：-55°C 至 +150°C。
7. 符合 RoHS 标准，环保无铅材料制造。
PESD5V0U1UT 广泛应用于需要高速数据传输及严格信号完整性的场合，具体包括：
1. USB 2.0/3.0 接口保护。
2. HDMI、DisplayPort 和其他高速视频接口防护。
3. 以太网 PHY 和网络设备中的信号线保护。
4. 移动设备（如智能手机和平板电脑）中的射频线路防护。
5. 工业自动化系统中的控制信号线保护。
6. 汽车电子系统中 CAN/LIN 总线接口的保护。
PESD5V0U1BTA, PESD5V0UA
