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PESD5V0S1BA.115 发布时间 时间:2025/9/14 5:48:30 查看 阅读:8

PESD5V0S1BA.115 是一款由NXP Semiconductors(恩智浦半导体)制造的单向静电放电(ESD)保护二极管,主要用于保护电子设备中的敏感电路免受静电放电和瞬态电压的损害。该器件采用小型SOD-323封装,具有快速响应时间、低钳位电压和高可靠性,适用于便携式电子产品、通信设备和消费类电子产品的电路保护。

参数

类型:单向ESD保护二极管
  工作电压:5.0V
  最大反向工作电压(VRWM):5.0V
  击穿电压(VBR):最小5.5V,典型6.1V,最大6.8V
  钳位电压(Vc):最大10.3V(在Ipp = 1A时)
  峰值脉冲电流(Ipp):±1A(IEC 61000-4-2 Level 4)
  漏电流(IR):最大100nA
  电容(C):最大8pF(在1MHz时)
  封装:SOD-323
  安装方式:表面贴装(SMD)

特性

PESD5V0S1BA.115 作为一款高性能ESD保护器件,具备多项优良特性。首先,其低钳位电压能够有效降低瞬态电压对下游电路的影响,从而保护敏感的IC免受损坏。其次,该器件具有极低的漏电流,在正常工作条件下几乎不会对电路的功耗产生影响,非常适合用于电池供电设备。此外,PESD5V0S1BA.115 的电容值非常低,通常在1MHz条件下最大为8pF,因此在高速信号线路中使用时不会造成信号完整性问题,适用于USB接口、HDMI、以太网等高速数据传输接口的保护。
  该器件的封装形式为SOD-323,体积小巧,便于在空间受限的电路板上布局。同时,其符合IEC 61000-4-2 Level 4标准,具备±8kV接触放电和±15kV空气放电的抗静电能力,适用于严苛的电磁环境。PESD5V0S1BA.115 也具有良好的热稳定性和机械强度,能够在广泛的温度范围内可靠工作,确保长期使用的稳定性。由于其优异的性能和可靠性,该器件广泛应用于便携式电子设备、通信模块、计算机外围设备以及工业控制系统中的ESD防护电路中。

应用

PESD5V0S1BA.115 主要用于需要静电放电保护的电子设备中。典型应用包括USB接口、HDMI端口、以太网连接器、RS-232接口、VGA端口等高速数据传输接口的保护。此外,该器件也可用于保护音频和视频信号线路、电源输入端口以及便携式设备(如智能手机、平板电脑、数码相机等)中的敏感IC。在工业自动化、通信基站、测试设备和消费类电子产品中,PESD5V0S1BA.115 也被广泛采用,以提高设备的抗静电能力和可靠性。

替代型号

PESD5V0S1BS, PESD5V0L1BA, PESD5V0U1BA, SMAJ5.0A, SMCJ5.0A

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