PESD5V0L2UM,315 是一款由NXP Semiconductors(恩智浦半导体)制造的静电放电(ESD)保护二极管阵列,专为低压信号线路提供高效率的静电放电保护而设计。该器件采用了先进的硅雪崩技术,能够在极短时间内响应ESD事件,保护下游的敏感电子元件免受静电损害。该器件采用SOT753(也称为SOT-323-6L或SOT-323SC)封装,具有低电容、低钳位电压和快速响应时间等特性,适用于多种高速数据接口和通信线路。
工作电压:5V
最大反向工作电压(VRWM):5V
击穿电压(VBR):5.5V(最小)至6.9V(最大)
最大钳位电压(VC):13.3V(在IEC 61000-4-2 Level 4条件下)
峰值脉冲电流(IPP):1A(8/20μs波形)
电容(在1MHz下):典型值为15pF
封装:SOT753(SOT-323-6L)
工作温度范围:-55°C 至 +150°C
PESD5V0L2UM,315 是一款高效的ESD保护器件,具有多个关键特性。首先,它提供双向保护功能,能够有效保护两条独立的信号线路,使其适用于差分信号或双线接口应用。其次,该器件的响应时间极短,能够在纳秒级别内对ESD事件做出反应,从而快速钳制电压,防止高电压对后续电路造成损害。
该器件的钳位电压较低,在IEC 61000-4-2 Level 4条件下最大为13.3V,确保在极端静电放电情况下仍能提供良好的保护效果。此外,PESD5V0L2UM,315 的漏电流非常低,通常在100nA以下,不会对系统的正常运行造成干扰。
该器件采用了SOT753封装,具有小型化、轻便、适合表面贴装(SMT)工艺的特点,非常适合用于空间受限的便携式电子设备。同时,该封装具有良好的热稳定性和机械强度,能够承受一定的热应力和物理冲击。
其电容值低至15pF,适合用于高速数据传输接口,如USB 2.0、HDMI、以太网等,不会对信号完整性造成显著影响。此外,该器件符合IEC 61000-4-2标准,可承受高达±15kV的空气放电和±8kV的接触放电,满足工业级ESD保护需求。
PESD5V0L2UM,315 主要用于各种电子设备中的静电放电保护,特别适用于高速数据通信接口。它广泛应用于USB接口、HDMI接口、以太网端口、RS-485接口、CAN总线、音频/视频输入输出端口等场景。在便携式设备如智能手机、平板电脑、笔记本电脑中,该器件可以有效防止用户在插拔外设时引入的静电对内部电路的损坏。
此外,该器件也可用于工业控制系统、医疗设备、消费类电子产品和汽车电子系统中的信号线保护。由于其双向保护特性,它可以同时保护两条独立的信号线,适用于差分信号传输应用,如USB、RS-485和CAN等协议接口。
在设计中,PESD5V0L2UM,315 可直接放置在连接器附近,以最大限度地减少ESD能量在PCB上的传播路径,提高保护效果。它通常与主控IC、收发器或接口控制器配合使用,为系统提供完整的ESD保护解决方案。
RClamp0502N2.TCT, TPD3E001, ESD5504B-LB