时间：2025/5/19 18:37:31
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PESD5B12C 是一款基于硅技术的双向低电容 ESD（静电放电）保护二极管，专为高速数据线提供卓越的静电防护性能而设计。该器件具有超低电容特性，非常适合用于高速信号接口，例如 USB、HDMI、以太网等。PESD5B12C 的封装形式小巧，能够满足现代电子设备对小型化和高性能的需求。
该元件在确保不会影响信号完整性的前提下，提供了高静电放电浪涌防护能力，同时具备低泄漏电流和快速响应时间。
工作电压：±12V
峰值脉冲电流：±6A
箝位电压：16.4V
结电容：0.7pF
反向漏电流：1μA（最大值，25°C）
响应时间：≤1ns
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装形式：SOD-962 (0201 尺寸)
PESD5B12C 具有以下主要特性：
1. 双向保护结构，可同时保护正负极性静电冲击。
2. 极低的结电容（仅 0.7pF），适合高速数据线路。
3. 快速响应时间（≤1ns），能有效抑制瞬态电压尖峰。
4. 高度可靠的 ESD 防护能力，符合 IEC 61000-4-2 国际标准（接触放电 ±15kV，空气放电 ±8kV）。
5. 小型化封装 SOD-962，节省 PCB 空间。
6. 工作温度范围广，适应各种环境条件下的应用需求。
7. 符合 RoHS 标准，环保无铅材料制造。
PESD5B12C 广泛应用于需要高速数据传输及静电保护的场景，典型应用包括：
1. USB 2.0/3.0 接口保护。
2. HDMI 和 DisplayPort 数据线保护。
3. 以太网端口防护。
4. 移动设备（如智能手机和平板电脑）中的射频和音频信号线路保护。
5. 工业控制设备中的通信接口保护。
6. 汽车电子系统中 CAN 总线和 LIN 总线的保护。
PESD5V0H12CA, PESD5V0H12CB, SMAJ12A
