工作电压：4 V
　　反向关态电压（VRWM）：4 V
　　击穿电压（VBR）：最小4.7 V，典型5.2 V，最大6.3 V
　　最大钳位电压（VC）：14.5 V（在IEC 61000-4-2 8 kV测试条件下）
　　峰值脉冲电流（IPP）：1.7 A（8/20 μs波形）
　　漏电流（IR）：最大100 nA
　　电容（C）：典型值为8 pF
　　封装类型：DFN1006-2（尺寸为1.0 mm x 0.6 mm）
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　符合RoHS标准：是

PESD4V0R1BSFYL具有多项优异的电气和物理特性，使其成为现代电子设备中ESD保护的理想选择。
　　首先，该器件具有极低的工作电压（4V），适用于低压电路的保护，确保不会对被保护设备的正常运行造成影响。其低反向漏电流（最大100nA）也确保了在非工作状态下对系统功耗的影响最小化。
　　其次，PESD4V0R1BSFYL具有非常高的瞬态能量吸收能力，能够承受高达8kV的ESD冲击（符合IEC 61000-4-2标准），并能有效将电压钳制在安全范围内，防止后级电路受损。其快速响应时间使其能够在ESD事件发生的瞬间迅速启动保护机制，确保电路安全。
　　此外，该器件的封装非常小巧，采用DFN1006-2封装形式，适合用于便携式电子产品、智能手机、可穿戴设备以及物联网（IoT）设备等空间受限的应用场景。同时，其表面贴装封装也简化了PCB布局和制造工艺，提高了整体的生产效率和可靠性。
　　最后，该器件的工作温度范围广泛，从-55°C到+150°C，使其适用于各种严苛环境下的应用，包括工业控制、汽车电子和户外通信设备。

PESD4V0R1BSFYL广泛应用于需要高可靠性和高精度ESD保护的各种电子设备中。例如，在消费类电子产品中，该器件常用于保护USB接口、HDMI接口、音频线路、显示屏排线等易受静电干扰的信号线路。在通信设备中，PESD4V0R1BSFYL可用于保护以太网端口、天线接口和射频信号线路，防止因静电放电引起的信号失真或设备损坏。此外，在工业控制系统中，该器件也常用于保护传感器接口、通信总线（如RS-485、CAN）以及人机界面（HMI）模块。对于汽车电子应用，PESD4V0R1BSFYL可用于车载娱乐系统、仪表盘显示模块、车载摄像头接口以及车载充电端口的ESD保护。由于其紧凑的封装和出色的电气性能，它也常被用于可穿戴设备和物联网设备中，为高密度电路设计提供可靠的保护。

PESD4V0R1BSFYL的替代型号包括PESD4V0R1B、PESD4V0R1BL、PESD4V0R1BA以及类似的ESD保护二极管如TI的TPD4E004、STMicroelectronics的EML2045、ON Semiconductor的NUP2105L等。