PESD3V3V1BCSF 是恩智浦半导体(NXP Semiconductors)生产的一款低电容、单向静电放电(ESD)保护二极管,专为高速数据线和敏感电子电路提供保护。该器件采用小型化的DFN1006-3封装,适用于需要高精度信号完整性和稳定ESD保护的场合。PESD3V3V1BCSF的击穿电压约为3.3V,能够在受到静电冲击时迅速导通,将高能量电流引离敏感电路,从而保护设备免受损坏。
工作电压:3.3V
最大反向击穿电压:4.3V
最大箝位电压:9.5V(在Ipp=1A条件下)
最大反向漏电流:10nA(最大)
ESD保护等级:IEC 61000-4-2 Level 4(±8kV接触放电)
电容(典型值):0.6pF(在f=1MHz,VR=0V条件下)
封装:DFN1006-3
PESD3V3V1BCSF 具有出色的低电容特性,典型值仅为0.6pF,使其非常适合用于高速数据线路保护,如USB、HDMI、DisplayPort等接口,不会对信号完整性造成影响。
该器件采用单向保护结构,可在正向过压条件下提供快速响应和高效能量吸收能力。
PESD3V3V1BCSF的封装为DFN1006-3,尺寸小巧,便于在高密度PCB设计中使用,同时支持SMT表面贴装工艺,提高了生产效率和可靠性。
其ESD保护等级达到IEC 61000-4-2 Level 4标准,能够承受±8kV接触放电和±15kV空气放电,适用于严苛的工业和消费类应用环境。
此外,该器件的低漏电流特性(最大10nA)确保了在正常工作状态下不会对电路功耗产生显著影响,适用于低功耗设备的设计需求。
PESD3V3V1BCSF 主要用于需要高速信号线路保护的场合,例如消费类电子产品中的USB 2.0/3.0、HDMI、DisplayPort、SD卡接口等高速数据接口;工业自动化设备中的通信端口保护;便携式设备如智能手机、平板电脑、可穿戴设备中的敏感电路保护;以及汽车电子中的车载娱乐系统、摄像头模块等高速信号线路的ESD防护。
由于其低电容和高信号完整性特性,PESD3V3V1BCSF也常用于通信设备、网络设备和测试仪器中的高速接口保护,确保设备在恶劣静电环境下仍能稳定工作。
[
"PESD3V3V1BL,",
"PESD3V3V1BA,",
"ESD3V3U1B,",
"NUP3V3R"
]