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PESD3V3U1BCSFYL 发布时间 时间:2025/9/14 14:47:49 查看 阅读:17

PESD3V3U1BCSFYL 是恩智浦半导体(NXP Semiconductors)推出的一款低电容单向静电放电(ESD)保护二极管,专为高速数据线路设计,适用于保护敏感的电子设备免受静电放电和瞬态电压的损害。该器件采用小型无引脚封装(DFN1006BD-2),适用于空间受限的便携式电子产品和高速通信接口。

参数

工作电压:3.3V
  钳位电压:5.5V @ Ipp=2A
  反向击穿电压:4.3V
  电容(@ 1MHz):10pF
  漏电流:10nA(最大)
  ESD保护等级:IEC 61000-4-2 Level 4(±8kV接触放电)
  封装形式:DFN1006BD-2(1.0mm x 0.6mm)
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C

特性

PESD3V3U1BCSFYL 具备极低的寄生电容(仅10pF),使其适用于USB 2.0、HDMI、LVDS、以太网等高速信号线路的ESD保护,不会影响信号完整性。该器件采用单向保护结构,可在发生ESD事件时迅速将高能电流引至地,保护下游电路不受损坏。其超小DFN封装形式非常适合空间受限的便携设备,如智能手机、平板电脑、可穿戴设备和数码相机等。此外,该器件具有低漏电流特性(最大10nA),在正常工作状态下对系统功耗的影响极小。
  其钳位电压为5.5V(在2A峰值脉冲电流下),确保在ESD事件中被保护器件的电压维持在安全范围内。PESD3V3U1BCSFYL 符合IEC 61000-4-2 Level 4标准,可承受±8kV接触放电和±15kV空气放电,提供高等级的抗静电能力。同时,该器件具备良好的热稳定性和重复性,适用于高可靠性应用场景。此外,DFN封装具备优良的散热性能,有助于在高能量ESD冲击下维持稳定工作。

应用

PESD3V3U1BCSFYL 主要用于各种高速数据接口和便携式电子设备中的ESD保护。典型应用包括USB 2.0接口、HDMI接口、LVDS接口、以太网接口、SD卡插槽、耳机插孔、摄像头接口和LCD显示接口等。该器件特别适合用于智能手机、平板电脑、智能手表、笔记本电脑、无线接入点、路由器、机顶盒和数码相机等消费类电子产品。由于其出色的ESD保护性能和低电容特性,也适用于工业控制设备、通信模块和车载信息娱乐系统等对可靠性要求较高的领域。

替代型号

PESD3V3U1BA, PESD3V3U1B, PESD3V3U2B, NUP4116

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PESD3V3U1BCSFYL参数

  • 现有数量3,113现货
  • 价格1 : ¥2.86000剪切带(CT)9,000 : ¥0.48049卷带(TR)
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • 类型齐纳
  • 单向通道-
  • 双向通道1
  • 电压 - 反向断态(典型值)3.3V(最大)
  • 电压 - 击穿(最小值)4.5V
  • 不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值)12V
  • 电流 - 峰值脉冲 (10/1000μs)5.4A(8/20μs)
  • 功率 - 峰值脉冲-
  • 电源线路保护
  • 应用通用
  • 不同频率时电容5.3pF @ 1MHz
  • 工作温度-40°C ~ 125°C(TA)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳0201(0603 公制)
  • 供应商器件封装DSN0603-2