PESD3V3T1BLS 是一款高性能的瞬态电压抑制 (TVS) 二极管,专为保护敏感电子设备免受静电放电 (ESD) 和其他瞬态电压威胁而设计。该器件采用超低电容设计,非常适合高速数据线路和高频应用。其封装形式为 SOD-323(DFN),具有小型化、高可靠性和卓越的钳位性能。
该芯片广泛应用于 USB、HDMI、以太网以及其他高速接口电路中,可有效防止因 ESD 或其他瞬态过压事件导致的损坏或性能下降。
类型:瞬态电压抑制二极管
工作电压:3.3V
峰值脉冲功率:600W(8/20μs)
最大反向工作电压:3.3V
击穿电压:4.4V
最大箝位电压:7.6V
动态电阻:≤0.4Ω
负载电容:≤0.8pF
响应时间:≤1ps
额定电流:无持续电流
工作温度范围:-55℃ 至 +150℃
PESD3V3T1BLS 的主要特点是其超低电容和快速响应时间。它能够将高达 ±30kV 的接触放电和 ±30kV 的空气放电安全地钳制到规定范围内,同时不会对信号完整性造成显著影响。
该产品具备双向结构,支持正负双向保护,适合交流线路或双向信号路径。
由于采用了先进的半导体工艺制造,PESD3V3T1BLS 在提供卓越防护能力的同时,保持了较低的插入损耗和极小的封装尺寸,从而简化了 PCB 布局设计并降低了系统复杂性。
此外,该芯片符合 RoHS 标准,环保且适用于各种消费类电子、工业设备及汽车电子领域。
PESD3V3T1BLS 主要用于保护以下类型的接口:
USB 2.0/3.0
HDMI
以太网
RS-232/RS-485
音频/视频信号线
无线通信模块
汽车电子控制单元(ECU)中的 CAN/LIN 总线
移动设备中的天线端口
任何需要高速保护的差分或单端信号线路
PESD3V3TA1BL
PESD3V3T1BLC
PESD3V3T1BLL