时间：2025/7/9 0:56:09
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PESD3V3T1BLS 是一款高性能的瞬态电压抑制 (TVS) 二极管，专为保护敏感电子设备免受静电放电 (ESD) 和其他瞬态电压威胁而设计。该器件采用超低电容设计，非常适合高速数据线路和高频应用。其封装形式为 SOD-323（DFN），具有小型化、高可靠性和卓越的钳位性能。
该芯片广泛应用于 USB、HDMI、以太网以及其他高速接口电路中，可有效防止因 ESD 或其他瞬态过压事件导致的损坏或性能下降。
类型：瞬态电压抑制二极管
工作电压：3.3V
峰值脉冲功率：600W（8/20μs）
最大反向工作电压：3.3V
击穿电压：4.4V
最大箝位电压：7.6V
动态电阻：≤0.4Ω
负载电容：≤0.8pF
响应时间：≤1ps
额定电流：无持续电流
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
PESD3V3T1BLS 的主要特点是其超低电容和快速响应时间。它能够将高达 ±30kV 的接触放电和 ±30kV 的空气放电安全地钳制到规定范围内，同时不会对信号完整性造成显著影响。
该产品具备双向结构，支持正负双向保护，适合交流线路或双向信号路径。
由于采用了先进的半导体工艺制造，PESD3V3T1BLS 在提供卓越防护能力的同时，保持了较低的插入损耗和极小的封装尺寸，从而简化了 PCB 布局设计并降低了系统复杂性。
此外，该芯片符合 RoHS 标准，环保且适用于各种消费类电子、工业设备及汽车电子领域。
PESD3V3T1BLS 主要用于保护以下类型的接口：
USB 2.0/3.0
HDMI
以太网
RS-232/RS-485
音频/视频信号线
无线通信模块
汽车电子控制单元（ECU）中的 CAN/LIN 总线
移动设备中的天线端口
任何需要高速保护的差分或单端信号线路
PESD3V3TA1BL
PESD3V3T1BLC
PESD3V3T1BLL
