时间：2025/6/29 7:41:42
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PESD3V3T1BLD 是一款基于硅雪崩技术的双向瞬态电压抑制 (TVS) 二极管，主要用于保护敏感电子设备免受静电放电 (ESD) 和其他瞬态过电压事件的影响。该器件具有低电容特性，非常适合高速数据线和高频信号线的保护应用。其额定工作电压为 3.3V，能够提供快速响应时间和高效的瞬态抑制能力。
该器件采用 SOD-882 封装形式，体积小巧，便于在空间受限的应用中使用。它符合 AEC-Q101 标准，适用于汽车级应用，同时也能满足消费类电子产品对可靠性和稳定性的要求。
类型：双向 TVS 二极管
工作电压（VRWM）：3.3V
击穿电压（VBR）：3.8V
最大箝位电压（VC）：6.8V
峰值脉冲电流（IPP）：14A
电容（Ctyp）：9pF
结温范围：-55°C 至 +150°C
封装：SOD-882
1. 双向设计，可保护正负双向瞬态过压
2. 快速响应时间 (<1ns)，能够迅速抑制瞬态电压
3. 极低的负载电容 (9pF)，适合高速信号线路
4. 高度可靠的汽车级性能，符合 AEC-Q101 标准
5. 符合 RoHS 标准，环保且无卤素
6. 紧凑型 SOD-882 封装，节省 PCB 空间
7. 能够承受高达 14A 的峰值脉冲电流，确保在严苛环境下的稳定性
1. USB 数据线和其他高速接口的 ESD 保护
2. 汽车电子系统的信号线保护
3. 工业控制设备中的数据通信保护
4. 移动设备和消费类电子产品的 I/O 端口保护
5. 高速差分信号线路（如 HDMI、DisplayPort）的保护
6. 无线通信模块的天线端口保护
PESD3V3T1BLC, PESD3V3TA1BL, SMAJ3.3A
