PESD3V3S5UD,125 是一款由NXP Semiconductors(恩智浦半导体)制造的静电放电(ESD)保护二极管阵列,专为低压信号线路提供高能静电放电保护。该器件采用5引脚的TSOP(也称为UDFN)封装,具有低电容、低钳位电压和快速响应时间的特点,非常适合用于高速数据线或敏感接口的ESD保护应用。
型号:PESD3V3S5UD,125
工作电压:3.3V
引脚数:5
封装类型:UDFN(TSOP)
最大反向关态电压(VRWM):3.3V
击穿电压(VBR):4.3V(最小)
钳位电压(VC):12V(在IEC 61000-4-2等级4下)
峰值脉冲电流(IPP):10A(8/20μs波形)
漏电流(IR):最大100nA
电容(CT):典型值为30pF
工作温度范围:-55°C至+150°C
ESD保护等级:IEC 61000-4-2 Level 4(±15kV接触放电)
PESD3V3S5UD,125 作为一款高效的ESD保护器件,具备多项关键特性以满足高性能和高可靠性要求。首先,其低钳位电压确保在静电放电事件中将电压限制在安全范围内,从而保护下游电路不受损坏。其次,该器件拥有非常低的结电容(典型值30pF),使其适用于高速信号线路(如USB、HDMI、以太网等)的保护,而不会对信号完整性造成显著影响。
此外,PESD3V3S5UD,125 支持IEC 61000-4-2标准的Level 4 ESD保护等级,即可以承受高达±15kV的接触放电和±30kV的空气放电,适用于严苛的工业和消费类环境。器件的响应时间极快,能在纳秒级内对ESD事件做出反应,有效抑制瞬态电压。
该器件采用5引脚UDFN(TSOP)封装,体积小巧,节省PCB空间,适合便携式设备和高密度电路设计。其低漏电流(最大100nA)特性确保在正常工作状态下对系统功耗的影响极小。PESD3V3S5UD,125还具备高浪涌能力,能承受多次ESD冲击而保持稳定性能,增强了系统长期运行的可靠性。
综合来看,PESD3V3S5UD,125是一款适用于多种高速接口和低电压电路的高性能ESD保护器件,能够在不牺牲信号完整性的前提下,为系统提供卓越的静电放电防护。
PESD3V3S5UD,125 主要用于需要ESD保护的各种电子设备和接口中,特别是在高速数据通信和便携式电子产品中应用广泛。常见应用包括USB接口(如USB 2.0和USB 3.0)、HDMI接口、以太网端口、RS-485通信线路、CAN总线、智能手机和平板电脑的I/O接口、LCD显示屏连接器、SD卡插槽等。
此外,该器件也适用于工业控制系统的信号线路保护,以及汽车电子中的车载网络(如CAN总线)和车载娱乐系统接口保护。由于其支持IEC 61000-4-2 Level 4级别的ESD防护,特别适合在电磁环境复杂或用户频繁接触的设备中使用,如POS终端、工业传感器、医疗设备和智能穿戴设备等。
在物联网(IoT)设备和智能家居产品中,PESD3V3S5UD,125 也被广泛用于保护无线通信接口(如Wi-Fi、蓝牙、ZigBee)免受静电放电损害。其低电容和高速特性确保了在不影响通信质量的前提下提供可靠的ESD防护。
PESD3V3S5BA,115; PESD3V3S5B,115; PESD3V3S5UD; SP3053BA-L/TR; ESDA6V1W5B-002; ESDA3V3W5B-002