时间：2025/9/14 20:11:10
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PESD3V3L5UF,115 是一款由NXP Semiconductors（恩智浦半导体）生产的静电放电（ESD）保护二极管阵列，专为低压数据线路和高速接口设计。该器件采用5引脚UFDFN封装，适用于便携式电子设备和高密度电路设计。PESD3V3L5UF,115 可为敏感的电子元件提供高水平的ESD保护，确保系统在恶劣环境下的可靠运行。
工作电压：3.3V
通道数：5
封装类型：UFDFN-5
工作温度范围：-40°C至+150°C
最大钳位电压：6.8V @ Ipp=2.8A
ESD保护等级：IEC 61000-4-2 Level 4（±15kV空气，±8kV接触）
低漏电流：最大100nA
典型电容：5pF
PESD3V3L5UF,115 提供多通道ESD保护，适用于高速信号线路。其低电容特性（典型值5pF）确保对信号完整性影响最小，适用于USB、HDMI、以太网等高速接口。该器件在IEC 61000-4-2标准下提供Level 4级别的保护，可承受高达±15kV的空气放电和±8kV的接触放电，具备极强的抗静电能力。此外，PESD3V3L5UF,115 采用紧凑的UFDFN-5封装，适用于空间受限的设计，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备。其低漏电流设计（最大100nA）有助于降低功耗，延长电池寿命。工作温度范围为-40°C至+150°C，适合在各种工业和消费类应用环境中使用。
该ESD保护器件具有快速响应时间，可在纳秒级内将高能静电脉冲引导至地，保护后端电路不受损坏。其集成5个独立通道，每个通道均可提供双向保护，适用于多路数据线保护。PESD3V3L5UF,115 还具备低钳位电压特性，在承受ESD冲击时，其钳位电压为6.8V（当峰值脉冲电流Ipp为2.8A时），确保被保护IC不会因过电压而损坏。
PESD3V3L5UF,115 主要用于各种电子设备中的高速数据线路保护，包括但不限于USB接口、HDMI接口、以太网端口、DisplayPort、LVDS线路以及移动设备中的相机和显示屏接口。它适用于智能手机、平板电脑、笔记本电脑、路由器、交换机、数码相机以及其他便携式消费电子产品。在工业控制、通信设备和汽车电子中，该器件也可用于保护敏感的通信端口免受静电放电损害。
PESD3V3L5BA,115; PESD3V3L5UFN,115; TPD3E081; TPD4E001; ESDA6V1W5B
