PESD3V3L4UG是一种瞬态电压抑制(TVS)二极管,主要用于保护电子设备免受静电放电(ESD)、电气快速瞬变(EFT)和其他瞬态过压事件的影响。它采用超小型DFN封装,适合在空间受限的应用中使用,例如便携式消费类电子产品、通信设备和工业控制等。该器件具有低电容特性,能够保持信号的完整性,同时提供高效的过压保护。
额定电压:3.3V
峰值脉冲电流:4A
箝位电压:6.5V
结电容:0.9pF
响应时间:小于1ps
最大工作温度范围:-55℃至+150℃
封装类型:DFN1006-2
PESD3V3L4UG具备以下特点:
1. 极低的电容值,使其非常适合高速数据线路保护。
2. 高效的ESD保护能力,符合IEC61000-4-2国际标准,达到±20kV(接触放电)和±30kV(空气放电)。
3. 超快的响应时间确保对瞬态过压的有效抑制。
4. 小型化封装设计,节省PCB空间,便于高密度组装。
5. 工作温度范围广,适用于各种环境条件下的应用。
6. 符合RoHS标准,环保无铅。
PESD3V3L4UG广泛应用于需要低电容和高效ESD保护的场景,包括:
1. USB接口保护。
2. HDMI和DisplayPort接口保护。
3. 移动设备中的射频前端保护。
4. 工业自动化设备的数据线保护。
5. 汽车电子系统中的信号线路保护。
6. 网络通信设备的I/O端口保护。
PESD3V3L4SF,PESD3V3L4UD