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PESD3V3L1BA 发布时间 时间:2025/9/16 14:16:18 查看 阅读:9

PESD3V3L1BA 是一款由 NXP(恩智浦)公司生产的单向静电放电(ESD)保护二极管,专为低压数据线和电源线提供高效、可靠的静电放电保护。该器件采用单向设计,能够在电压超过其击穿电压时迅速导通,将高能静电脉冲引导至地,从而保护后端电路不受损坏。PESD3V3L1BA 采用小型 SOD-323 封装,适用于各种便携式电子设备和通信接口。

参数

类型:单向 ESD 保护二极管
  工作电压:3.3V
  最大反向工作电压(VRWM):3.3V
  击穿电压(VBR):最小 4.3V(在 I_T = 1mA 时)
  钳位电压(VC):最大 9.4V(在 IPP = 1A 时)
  峰值脉冲电流(IPP):1A(8/20μs 波形)
  电容(CT):典型值 25pF
  封装:SOD-323
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C

特性

PESD3V3L1BA 的核心特性在于其高效的 ESD 保护能力,能够在极短时间内响应高达 ±30kV 的静电放电,从而有效保护敏感的电子元件。该器件具有低钳位电压特性,这意味着在导通状态下,其对后端电路的电压应力较小,有助于提高系统的整体稳定性。此外,PESD3V3L1BA 具有较小的封装尺寸,适合在空间受限的设计中使用。
  该器件的另一个显著特点是其低漏电流特性,在正常工作条件下,其反向漏电流通常小于 0.1μA,这有助于降低系统的静态功耗并提高能效。同时,PESD3V3L1BA 的电容值较低(典型值为 25pF),因此在高速信号线路中使用时不会明显影响信号完整性,适用于 USB、HDMI 和其他高速接口的保护。
  从可靠性角度来看,PESD3V3L1BA 通过了严格的工业标准测试,包括 IEC 61000-4-2 Level 4 的 ESD 测试,确保其在极端环境下的稳定性和耐用性。该器件无需外部控制电路即可自动恢复到正常状态,简化了系统设计。

应用

PESD3V3L1BA 主要用于需要 ESD 保护的低压电路中,典型应用包括 USB 接口、HDMI 接口、RS-232 接口、以太网端口、音频/视频接口等。由于其低电容和快速响应特性,该器件也适用于保护高速数据线路,如智能手机、平板电脑、笔记本电脑和其他便携式电子设备中的信号线路。此外,PESD3V3L1BA 还可用于工业控制设备、消费类电子产品以及通信基础设施中,确保系统在恶劣电磁环境中的稳定运行。

替代型号

PESD3V3L1BL, ESDA3V3L1BA, ESDA3V3L1BC, SMAJ3.3A

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PESD3V3L1BA参数

  • ESD保护
  • 安装类型表面贴装
  • 宽度1.35mm
  • 封装类型UMD
  • 尺寸1.8 x 1.35 x 1.05mm
  • 峰值脉冲功率耗散500W
  • 引脚数目2
  • 方向类型双向
  • 最低工作温度-65 °C
  • 最大反向待机电压3.3V
  • 最大反向漏电流2μA
  • 最大峰值脉冲电流18A
  • 最大钳位电压26V
  • 最小击穿电压5.8V
  • 最高工作温度+150 °C
  • 每片芯片元件数目1
  • 测试电流5mA
  • 配置
  • 长度1.8mm
  • 高度1.05mm