PESD2USB30Z是一款由恩智浦半导体公司(NXP)设计的静电放电(ESD)保护二极管阵列,专为高速数据接口而设计。该器件适用于USB 3.0、HDMI、DisplayPort以及其他高速差分信号线路,提供高效的静电放电保护,同时保持信号完整性。PESD2USB30Z采用微型DFN封装,具有低电容、低钳位电压和快速响应时间的特点,使其成为便携式电子设备和高性能计算设备中理想的ESD保护解决方案。
类型:ESD保护二极管阵列
封装类型:DFN
通道数:2
工作电压:5.5V
最大反向工作电压(VRWM):5.5V
击穿电压(VBR):6.5V(最小)
钳位电压(VC):13V(最大,@ IEC 61000-4-2,8kV)
漏电流(IR):≤ 100nA
电容(C):0.4pF(典型值)
响应时间:亚纳秒级
ESD抗扰度:8kV接触放电,15kV空气放电
PESD2USB30Z在ESD保护方面表现出色,尤其适用于高速数据传输应用。其核心特性之一是极低的结电容,仅为0.4pF,这确保了在高速信号线路上的最小信号失真,适用于USB 3.0等高速接口。此外,该器件具有非常低的钳位电压,在8kV ESD冲击下最大为13V,这有助于保护下游的敏感电子元件免受损害。PESD2USB30Z的响应时间非常快,能在亚纳秒级别内响应ESD事件,从而提供即时的保护。该器件还具有低漏电流特性,确保在正常工作条件下对系统功耗的影响最小。其DFN封装结构紧凑,便于在空间受限的设备中使用,如智能手机、平板电脑、笔记本电脑和可穿戴设备。
PESD2USB30Z广泛应用于需要高速信号保护的电子产品中。主要应用包括USB 3.0接口、HDMI和DisplayPort视频接口、SATA和PCIe高速数据线路,以及其他差分信号传输线路。由于其出色的信号完整性保持能力和高效的ESD保护能力,该器件特别适用于便携式消费电子设备,如智能手机、平板电脑、笔记本电脑以及高性能计算机外设。此外,PESD2USB30Z也适用于工业控制设备和通信设备,用于保护高速数据线路免受静电放电和其他瞬态电压的损害。
TI的TPD4E001、STMicroelectronics的EML7111、ON Semiconductor的LC03SC、Infineon的ESD320