时间：2025/9/13 23:12:38
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PESD2IVN24 是一款由恩智浦半导体（NXP Semiconductors）推出的静电放电（ESD）保护二极管阵列，专为高速数据线路和接口设计，以提供高效、可靠的过电压保护。该器件集成了多个双向保护二极管，适用于USB、HDMI、DisplayPort、以太网等高速通信接口，能够在极端静电放电条件下保护敏感的电子元件不受损坏。
类型：ESD保护二极管阵列
通道数：2
工作电压：24V
反向关态电压（VRWM）：24V
击穿电压（VBR）：最小26.7V，典型28V
钳位电压（VC）：最大43V（在Ipp=1A条件下）
峰值脉冲电流（Ipp）：±1A（8/20μs波形）
漏电流（IR）：最大100nA
电容（CT）：典型值5pF
封装形式：SOT23-6
PESD2IVN24 的核心特性之一是其低钳位电压和快速响应时间，使其能够在静电放电事件中迅速将过电压引导至地，从而保护下游电路。该器件采用双向保护结构，适用于正负极性瞬态电压的防护，适用于差分信号线和单端线路。此外，其低电容特性（典型值5pF）确保了在高速数据传输过程中信号完整性不受影响，适用于USB 2.0、HDMI 1.4等高速接口的保护。
该芯片还具有低漏电流（最大100nA）特性，确保在正常工作条件下不会对系统功耗造成显著影响。其封装形式为SOT23-6，尺寸小巧，便于在空间受限的设计中使用。PESD2IVN24 符合IEC 61000-4-2标准中对静电放电抗扰度的要求，支持接触放电和空气放电模式，最大可承受±15kV的静电冲击，为系统提供高等级的保护能力。
PESD2IVN24 主要用于消费电子、通信设备和工业控制系统中的接口保护。典型应用包括USB 2.0接口、HDMI接口、DisplayPort接口、以太网接口、音频/视频信号线、SD卡插槽等高速数据线路的静电放电保护。由于其低电容和高速特性，非常适合用于要求信号完整性高的高速数字通信接口中。此外，该器件也可用于汽车电子系统中，如车载娱乐系统、仪表盘显示接口等，提供可靠的ESD保护，防止因静电放电导致的系统故障或设备损坏。
PESD2VFT24, ESDA2IVN24
