时间：2025/7/7 10:21:51
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PESD2ETH1G-T 是一款高性能的双向 TVS (瞬态电压抑制) 二极管阵列，专为以太网接口提供静电放电 (ESD) 和电气过应力 (EOS) 保护而设计。该器件采用超小型 DFN 封装，能够承受 IEC61000-4-2 标准中定义的 ±30kV 接触放电和 ±30kV 空气放电。它具有极低的电容特性，非常适合高速数据线的保护需求。
工作电压：2.8V
反向击穿电压：±5V
最大箝位电压：11V
峰值脉冲电流：±17A
电容：12pF
响应时间：1ns
封装：DFN1006-2
PESD2ETH1G-T 提供了卓越的 ESD 保护性能，其低电容值确保对高速信号的干扰最小化。
它支持高达千兆以太网的数据速率，并且具备高可靠性，能够在多次 ESD 脉冲冲击后仍保持稳定的性能。
此外，该器件具有非常快的响应时间（1ns），可以在瞬态事件发生时迅速将电压箝位于安全范围内，从而保护后端电路免受损坏。
由于采用了无铅、符合 RoHS 标准的封装形式，PESD2ETH1G-T 还满足环保要求。
PESD2ETH1G-T 主要用于保护以太网 PHY 芯片和其他高速通信接口免受 ESD 和 EOS 的损害。
典型应用场景包括但不限于以下领域：
- 工业网络设备
- 消费类电子产品中的有线连接部分
- 家庭自动化系统
- 医疗仪器中的高速数据传输模块
- 汽车电子系统的车载以太网接口
PESD2CAN-T, PESD2USB3-T
