PESD12VS5UD,115 是一款由NXP(恩智浦)半导体公司推出的静电放电(ESD)保护二极管阵列芯片,主要用于保护敏感的电子设备免受静电放电和瞬态电压的损害。该器件采用小型UDFN(Ultra Thin Dual Flat No-lead)封装,适用于高密度和高精度的电路设计。该芯片内部集成了5个双向ESD保护二极管,能够有效吸收并泄放高达±15kV(接触放电)的静电能量,适用于各种高速数据线路和接口的保护。
类型:ESD保护二极管阵列
工作电压:12V
通道数:5(双向)
钳位电压(Vc):20V(最大)
击穿电压(Vbr):13.3V(最小)
ESD耐受能力(接触放电):±15kV
ESD耐受能力(空气放电):±15kV
响应时间:<1ns
封装类型:UDFN6
PESD12VS5UD,115 的主要特性包括卓越的ESD保护能力和紧凑的封装设计。其每个通道均可承受高达±15kV的静电放电,确保敏感电子元件免受静电损害。芯片内部采用双向二极管结构,适用于正负极性电压保护,特别适合用于数字和模拟信号线路的保护。
此外,该芯片的钳位电压较低(最大为20V),在发生静电事件时能够迅速将电压限制在安全范围内,从而保护后级电路不受损害。响应时间小于1纳秒,可以快速响应瞬态电压变化,提供实时保护。
采用UDFN6封装,尺寸仅为2mm x 2mm,厚度低于0.5mm,适合用于空间受限的便携式电子产品,如智能手机、平板电脑、可穿戴设备等。该封装还具有良好的热性能和电气性能,有助于提高器件的可靠性和稳定性。
该芯片还具有低漏电流特性,在正常工作条件下,漏电流通常低于100nA,不会对系统的功耗和性能产生明显影响。这使得PESD12VS5UD,115非常适合用于低功耗设计和电池供电设备。
PESD12VS5UD,115 广泛应用于需要静电放电保护的各种电子设备中,尤其适用于高速数据传输接口和精密模拟信号线路的保护。常见应用包括USB接口、HDMI接口、以太网接口、音频/视频输入输出端口等。
在便携式电子产品中,如智能手机、平板电脑和笔记本电脑,该芯片可以有效保护触摸屏控制器、摄像头模块、传感器接口等关键部件免受静电放电的影响。
此外,PESD12VS5UD,115 也广泛用于工业控制系统、通信设备和汽车电子系统中,保护敏感的微处理器、存储器、传感器和通信模块。在汽车应用中,该芯片可以用于保护车载娱乐系统、导航系统、CAN总线接口等,确保车辆电子系统的稳定性和可靠性。
由于其低钳位电压和快速响应时间,该芯片也适用于保护高速数据线路,如USB 3.0、HDMI 1.4和DisplayPort等接口,确保数据传输的完整性不受ESD事件影响。
PESD12VS5BA,115; PESD12VS5UC,115; PESD15VS5UD,115; PESD24VS5UD,115