PEMH4,115 是一款由 STMicroelectronics(意法半导体)生产的双极型晶体管(BJT),属于 NPN 类型的高频晶体管。该晶体管设计用于在高频放大和开关应用中提供优异的性能,特别适用于射频(RF)和通信系统。PEMH4,115 具有高增益带宽积(fT)和低噪声系数,是许多高频电路中的理想选择。
类型:NPN 双极型晶体管
集电极-发射极电压(VCEO):15V
集电极-基极电压(VCBO):30V
发射极-基极电压(VEBO):2V
集电极电流(IC):100mA
功耗(PD):300mW
工作温度范围:-55°C 至 +150°C
封装类型:SOT-23(小型表面贴装封装)
增益带宽积(fT):100MHz
直流电流增益(hFE):110 至 800(根据不同等级)
噪声系数(NF):1dB(典型值)
PEMH4,115 晶体管具备多项优异特性,使其在高频电子电路中表现出色。首先,其高增益带宽积(fT)达到 100MHz,意味着该晶体管在高频应用中依然能够维持良好的增益性能,适用于射频放大器和振荡器。其次,其低噪声系数(NF)典型值为 1dB,使得该器件在低噪声放大器中具有显著优势,能够有效提升信号质量,减少干扰。此外,PEMH4,115 的 hFE(直流电流增益)范围较广,从 110 到 800 不等,这使其在不同电路设计中具有较高的灵活性,能够适应多种偏置条件和应用需求。
该晶体管采用 SOT-23 封装,体积小巧且便于表面贴装,适用于紧凑型 PCB 设计。同时,其最大集电极电流为 100mA,功耗为 300mW,能够在小型封装中提供足够的电流驱动能力,满足大多数高频放大和开关需求。SOT-23 封装还具有良好的热稳定性和高频性能,进一步增强了其在高速电路中的适用性。
PEMH4,115 的工作温度范围为 -55°C 至 +150°C,表明其能够在极端环境下稳定工作,适用于工业级和汽车电子等对可靠性要求较高的应用场景。
PEMH4,115 主要用于高频电子电路设计,尤其是在射频(RF)和通信系统中表现突出。其典型应用包括射频前置放大器、振荡器、混频器和调制器等高频电路。由于其低噪声系数和高增益带宽积,该晶体管常用于无线通信设备中的信号放大和处理,如 Wi-Fi 模块、蓝牙设备、射频识别(RFID)系统等。
此外,PEMH4,115 也适用于音频和模拟电路中的前置放大器设计,尤其在需要高增益和低噪声的应用中,如麦克风前置放大器、仪表放大器和传感器接口电路。其高 hFE 和低功耗特性也使其在便携式电子产品中具有良好的能效表现。
在数字电路中,该晶体管也可用作高速开关器件,适用于 LED 驱动、继电器控制、逻辑电平转换等应用。SOT-23 小型封装形式使其适合高密度 PCB 设计,广泛应用于消费类电子产品、工业自动化设备和汽车电子系统。
BC847, 2N3904, BFQ59, PN2222