时间：2025/9/14 18:46:33
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PEMH4,115 是一款由 STMicroelectronics（意法半导体）生产的双极型晶体管（BJT），属于 NPN 类型的高频晶体管。该晶体管设计用于在高频放大和开关应用中提供优异的性能，特别适用于射频（RF）和通信系统。PEMH4,115 具有高增益带宽积（fT）和低噪声系数，是许多高频电路中的理想选择。
类型：NPN 双极型晶体管
集电极-发射极电压（VCEO）：15V
集电极-基极电压（VCBO）：30V
发射极-基极电压（VEBO）：2V
集电极电流（IC）：100mA
功耗（PD）：300mW
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装类型：SOT-23（小型表面贴装封装）
增益带宽积（fT）：100MHz
直流电流增益（hFE）：110 至 800（根据不同等级）
噪声系数（NF）：1dB（典型值）
PEMH4,115 晶体管具备多项优异特性，使其在高频电子电路中表现出色。首先，其高增益带宽积（fT）达到 100MHz，意味着该晶体管在高频应用中依然能够维持良好的增益性能，适用于射频放大器和振荡器。其次，其低噪声系数（NF）典型值为 1dB，使得该器件在低噪声放大器中具有显著优势，能够有效提升信号质量，减少干扰。此外，PEMH4,115 的 hFE（直流电流增益）范围较广，从 110 到 800 不等，这使其在不同电路设计中具有较高的灵活性，能够适应多种偏置条件和应用需求。
该晶体管采用 SOT-23 封装，体积小巧且便于表面贴装，适用于紧凑型 PCB 设计。同时，其最大集电极电流为 100mA，功耗为 300mW，能够在小型封装中提供足够的电流驱动能力，满足大多数高频放大和开关需求。SOT-23 封装还具有良好的热稳定性和高频性能，进一步增强了其在高速电路中的适用性。
PEMH4,115 的工作温度范围为 -55°C 至 +150°C，表明其能够在极端环境下稳定工作，适用于工业级和汽车电子等对可靠性要求较高的应用场景。
PEMH4,115 主要用于高频电子电路设计，尤其是在射频（RF）和通信系统中表现突出。其典型应用包括射频前置放大器、振荡器、混频器和调制器等高频电路。由于其低噪声系数和高增益带宽积，该晶体管常用于无线通信设备中的信号放大和处理，如 Wi-Fi 模块、蓝牙设备、射频识别（RFID）系统等。
此外，PEMH4,115 也适用于音频和模拟电路中的前置放大器设计，尤其在需要高增益和低噪声的应用中，如麦克风前置放大器、仪表放大器和传感器接口电路。其高 hFE 和低功耗特性也使其在便携式电子产品中具有良好的能效表现。
在数字电路中，该晶体管也可用作高速开关器件，适用于 LED 驱动、继电器控制、逻辑电平转换等应用。SOT-23 小型封装形式使其适合高密度 PCB 设计，广泛应用于消费类电子产品、工业自动化设备和汽车电子系统。
BC847, 2N3904, BFQ59, PN2222
