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PEMH4,115 发布时间 时间:2025/9/14 18:46:33 查看 阅读:24

PEMH4,115 是一款由 STMicroelectronics(意法半导体)生产的双极型晶体管(BJT),属于 NPN 类型的高频晶体管。该晶体管设计用于在高频放大和开关应用中提供优异的性能,特别适用于射频(RF)和通信系统。PEMH4,115 具有高增益带宽积(fT)和低噪声系数,是许多高频电路中的理想选择。

参数

类型:NPN 双极型晶体管
  集电极-发射极电压(VCEO):15V
  集电极-基极电压(VCBO):30V
  发射极-基极电压(VEBO):2V
  集电极电流(IC):100mA
  功耗(PD):300mW
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C
  封装类型:SOT-23(小型表面贴装封装)
  增益带宽积(fT):100MHz
  直流电流增益(hFE):110 至 800(根据不同等级)
  噪声系数(NF):1dB(典型值)

特性

PEMH4,115 晶体管具备多项优异特性,使其在高频电子电路中表现出色。首先,其高增益带宽积(fT)达到 100MHz,意味着该晶体管在高频应用中依然能够维持良好的增益性能,适用于射频放大器和振荡器。其次,其低噪声系数(NF)典型值为 1dB,使得该器件在低噪声放大器中具有显著优势,能够有效提升信号质量,减少干扰。此外,PEMH4,115 的 hFE(直流电流增益)范围较广,从 110 到 800 不等,这使其在不同电路设计中具有较高的灵活性,能够适应多种偏置条件和应用需求。
  该晶体管采用 SOT-23 封装,体积小巧且便于表面贴装,适用于紧凑型 PCB 设计。同时,其最大集电极电流为 100mA,功耗为 300mW,能够在小型封装中提供足够的电流驱动能力,满足大多数高频放大和开关需求。SOT-23 封装还具有良好的热稳定性和高频性能,进一步增强了其在高速电路中的适用性。
  PEMH4,115 的工作温度范围为 -55°C 至 +150°C,表明其能够在极端环境下稳定工作,适用于工业级和汽车电子等对可靠性要求较高的应用场景。

应用

PEMH4,115 主要用于高频电子电路设计,尤其是在射频(RF)和通信系统中表现突出。其典型应用包括射频前置放大器、振荡器、混频器和调制器等高频电路。由于其低噪声系数和高增益带宽积,该晶体管常用于无线通信设备中的信号放大和处理,如 Wi-Fi 模块、蓝牙设备、射频识别(RFID)系统等。
  此外,PEMH4,115 也适用于音频和模拟电路中的前置放大器设计,尤其在需要高增益和低噪声的应用中,如麦克风前置放大器、仪表放大器和传感器接口电路。其高 hFE 和低功耗特性也使其在便携式电子产品中具有良好的能效表现。
  在数字电路中,该晶体管也可用作高速开关器件,适用于 LED 驱动、继电器控制、逻辑电平转换等应用。SOT-23 小型封装形式使其适合高密度 PCB 设计,广泛应用于消费类电子产品、工业自动化设备和汽车电子系统。

替代型号

BC847, 2N3904, BFQ59, PN2222

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PEMH4,115参数

  • 标准包装4,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式
  • 系列-
  • 晶体管类型2 个 NPN 预偏压式(双)
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)100mA
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)50V
  • 电阻器 - 基极 (R1)(欧)10k
  • 电阻器 - 发射极 (R2)(欧)-
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)200 @ 1mA,5V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)150mV @ 500µA,10mA
  • 电流 - 集电极截止(最大)1µA
  • 频率 - 转换-
  • 功率 - 最大300mW
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳SOT-563,SOT-666
  • 供应商设备封装SOT-666
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称934056710115PEMH4 T/RPEMH4 T/R-ND