类型：NPN 双极型晶体管
　　集电极-发射极电压（VCEO）：50V
　　集电极-基极电压（VCBO）：50V
　　发射极-基极电压（VEBO）：5V
　　最大集电极电流（IC）：100mA
　　最大功耗（Ptot）：300mW
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　存储温度范围：-65°C 至 150°C
　　封装形式：SOT23
　　电流增益（hFE）：在 IC=2mA, VCE=5V 时为 110 - 800（根据等级不同）
　　截止频率（fT）：100MHz
　　

PEMH11,115 是一款性能优异的 NPN 晶体管，具备多种出色的电气特性和稳定性。
　　首先，该晶体管具有较高的截止频率（fT）为 100MHz，适用于中高频的射频放大和高速开关应用，能够满足现代电子设备对信号处理速度的需求。
　　其次，PEMH11,115 提供宽范围的电流增益（hFE），其 hFE 值可在 110 到 800 之间，依据不同等级进行分类，确保了在不同应用场景下的稳定增益表现。这种高增益能力使其非常适合用于小信号放大电路，如音频前置放大器和传感器信号调理电路。
　　此外，该器件的集电极-发射极击穿电压为 50V，允许在较宽的电压范围内工作，增强了其在电源管理和开关电路中的适应性。同时，其最大集电极电流为 100mA，适用于中低功率的开关和放大应用。
　　PEMH11,115 采用 SOT23 小型表面贴装封装，便于自动化生产与高密度 PCB 布局，同时也具有良好的热稳定性与机械强度。
　　该晶体管的工作温度范围为 -55°C 至 150°C，能够在极端环境条件下稳定运行，适用于工业控制、汽车电子、通信设备等对可靠性要求较高的应用领域。
　　最后，其最大功耗为 300mW，确保在低功耗设计中仍能保持良好的性能表现。

PEMH11,115 广泛应用于多种电子电路中，特别是在需要高增益和中高频响应的场合。
　　首先，该晶体管常用于射频（RF）放大电路中，如无线通信模块、射频接收前端和小信号放大器等，其高达 100MHz 的截止频率使其在高频信号处理中表现优异。
　　其次，PEMH11,115 可用于音频放大电路，特别是在前置放大器和音频信号处理电路中，凭借其高 hFE 和低噪声特性，能够提供清晰的音频信号放大。
　　此外，该器件在数字和模拟开关电路中也有广泛应用，例如在逻辑电路、继电器驱动电路、LED 驱动电路以及电源管理电路中，作为低功耗开关使用。
　　它还适用于传感器接口电路，如用于放大传感器微弱信号的放大器电路，提升信号的稳定性和精度。
　　在工业自动化和汽车电子领域，PEMH11,115 被用于控制和信号调节电路中，支持在高温和恶劣环境下稳定运行。
　　总之，PEMH11,115 是一款多功能、高性能的 NPN 晶体管，适用于通信、消费电子、工业控制、汽车电子等多个领域。

BC547, 2N3904, PN2222, MMBT3904