时间：2025/9/14 13:45:48
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PEMD20是一款常见的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），通常用于高电流和高电压的应用。该器件具有低导通电阻、高开关速度和优良的热稳定性，适用于各种电源管理和功率转换系统。PEMD20的封装形式通常是TO-220或类似的功率封装，以确保良好的散热性能。
类型: MOSFET
晶体管类型: N沟道
最大漏源电压(Vds): 200V
最大漏极电流(Id): 20A
导通电阻(Rds(on)): 0.15Ω
栅极电荷(Qg): 50nC
工作温度范围: -55°C ~ +150°C
封装类型: TO-220
PEMD20具有低导通电阻，这使得它在导通状态下的功率损耗非常低，提高了系统的整体效率。此外，它的高开关速度使其适用于高频开关应用，如DC-DC转换器和开关电源。
该器件的热稳定性良好，能够在较高的温度下稳定工作，具备一定的过载能力。PEMD20的栅极电荷较低，这意味着它在开关过程中所需的驱动功率较小，进一步提高了系统的能效。
由于其高耐压和高电流能力，PEMD20广泛应用于电机控制、电源管理、电池充电器以及工业自动化设备中。它的TO-220封装形式提供了良好的散热性能，适合安装在散热片上以进一步降低工作温度。
PEMD20常用于电源管理系统，如开关电源(SMPS)、DC-DC转换器和UPS（不间断电源）。它也广泛应用于电机驱动器和电池充电器中，以实现高效的能量转换。
在工业自动化领域，PEMD20可用于控制高功率负载，如加热元件、电动机和照明系统。由于其高可靠性和良好的热性能，该器件也常用于汽车电子系统，如车载充电器和动力控制单元。
此外，PEMD20还适用于逆变器和变频器等电力电子设备，用于实现高效的电能转换和控制。
IRF150, FDP20N20
