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PEMD16,115 发布时间 时间:2025/9/14 19:55:19 查看 阅读:9

PEMD16,115 是由 Nexperia(安世半导体)生产的一款双极性功率晶体管(双晶体管)集成电路。该器件采用 16 引脚 PowerSO 封装,适用于高功率应用,具有良好的热性能和可靠性。PEMD16,115 常用于工业控制、电源管理和电机驱动等场景。

参数

类型:功率双极性晶体管(BJT)
  封装:PowerSO-16
  最大集电极-发射极电压(VCE):100V
  最大集电极电流(IC):15A
  最大功耗(PD):150W
  增益(hFE):≥2500(在特定工作点)
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C
  配置:双晶体管(两个独立的晶体管)

特性

PEMD16,115 采用先进的制造工艺,具有较高的电流承载能力和较低的饱和压降,从而减少功耗并提高效率。其 PowerSO-16 封装提供了优异的热管理能力,确保器件在高负载条件下仍能保持稳定运行。该晶体管的高增益特性使其适用于需要高电流放大的场合,并支持快速开关操作。此外,PEMD16,115 还具有良好的抗短路能力,提高了系统的可靠性。其双晶体管结构允许设计者在同一个封装中实现多个功率控制功能,节省了电路板空间并简化了设计。

应用

PEMD16,115 主要用于需要高功率处理能力的场合,例如工业电机驱动、电源转换器(如 DC-DC 转换器和 AC-DC 电源)、继电器驱动、电池充电器和逆变器系统。其高可靠性和热性能也使其适用于汽车电子系统中的功率控制模块。

替代型号

PEMD16,118

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PEMD16,115参数

  • 标准包装4,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式
  • 系列-
  • 晶体管类型1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)100mA
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)50V
  • 电阻器 - 基极 (R1)(欧)22k
  • 电阻器 - 发射极 (R2)(欧)47k
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)80 @ 5mA,5V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)150mV @ 500µA,10mA
  • 电流 - 集电极截止(最大)1µA
  • 频率 - 转换-
  • 功率 - 最大300mW
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳SOT-563,SOT-666
  • 供应商设备封装SOT-666
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称934058921115PEMD16 T/RPEMD16 T/R-ND