型号：PE43703MLI
　　制造商：Renesas Electronics (formerly Peregrine Semiconductor)
　　封装类型：16-QFN (MLP16)
　　工作电压：3.3V 和 5V 兼容
　　接口类型：串行控制（SPI）/ 并行控制
　　位数：7 位
　　衰减步进：0.25 dB
　　最大衰减量：15.75 dB
　　频率范围：DC ~ 6000 MHz
　　输入线性度（IP3）：典型值 +68 dBm
　　插入损耗：典型值 1.2 dB（在 2.5 GHz）
　　衰减精度：±0.5 dB（典型值，全温范围）
　　阻抗：50 Ω
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　控制电压逻辑电平：1.8V/3.3V/5V 兼容

PE43703MLI 采用 UltraCMOS 工艺技术，这是一种基于绝缘体上硅（SOI）的单片半导体工艺，具有类似于 GaAs 的高频性能，同时兼具 CMOS 的低成本和高集成优势。该技术使得 PE43703MLI 在高频下仍能保持出色的线性度和低失真特性，特别适合用于高数据速率通信系统中。其高达 +68 dBm 的三阶交调点（IP3）确保了在强信号环境下仍能维持良好的信号完整性，有效减少互调干扰，提升接收机灵敏度。
　　该器件的 7 位数字控制结构提供了 128 个离散衰减状态（0.00 dB 到 15.75 dB，步进 0.25 dB），实现了极高的调节精度。这种精细的控制能力使其非常适合自动增益控制（AGC）环路、软件定义无线电（SDR）、测试测量设备以及基站收发信台等应用。此外，其衰减值在整个工作温度范围内具有高度稳定性，典型精度为 ±0.5 dB，减少了因环境变化导致的校准需求。
　　PE43703MLI 支持串行和并行两种控制模式，用户可通过简单的控制引脚配置选择所需模式。串行模式使用标准 SPI 兼容接口，仅需少数 GPIO 即可完成控制，节省 MCU 资源；而并行模式则适用于高速切换场景，可实现快速衰减设置。两种模式均支持 TTL/CMOS 电平输入，兼容多种控制器输出逻辑。
　　在功耗方面，PE43703MLI 具有低静态电流特性，典型工作电流仅为 15 mA，在电池供电或便携式设备中表现出良好的能效比。同时，该芯片具备上电复位功能，确保每次上电时衰减器处于确定状态（通常为最小衰减状态），避免意外的大信号冲击下游电路。其 16 引脚 QFN 封装不仅体积小巧，还集成了裸露焊盘以增强散热性能，适合在空间受限但热管理要求较高的应用中使用。

PE43703MLI 被广泛应用于需要精确射频信号调控的各种现代通信与电子系统中。在无线基础设施领域，它常用于宏蜂窝、微蜂窝和微微蜂窝基站的发射和接收链路中，作为自动增益控制（AGC）模块的关键组件，确保信号电平稳定，防止过载或信噪比下降。在软件定义无线电（SDR）平台中，由于其宽频带响应和精细的衰减分辨率，能够支持多模式、多频段操作，适应灵活的调制方案和带宽配置。
　　在测试与测量设备如矢量网络分析仪（VNA）、频谱仪和信号发生器中，PE43703MLI 可用于内部信号路径的动态范围调整，提高测量精度和系统动态范围。其高 IP3 性能也使其适用于高线性度前端模块，例如雷达系统、卫星通信终端和宽带中继器。
　　此外，该器件在工业、科学和医疗（ISM）频段设备、点对点和点对多点通信系统、有线电视（CATV）基础设施以及军事通信系统中也有广泛应用。由于其支持 1.8V 至 5V 的逻辑电平输入，易于与 FPGA、DSP 或微控制器直接接口，因此在嵌入式射频子系统设计中具有很高的集成便利性。其紧凑的封装形式也使其成为小型化射频模块和毫米波前端的理想选择之一。

PE43705
　　PE43711
　　HMC933ALC4TR