时间：2025/12/28 11:48:27
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PE42750MLAA-Z是Peregrine Semiconductor（已被Murata收购）推出的一款高性能、低功耗的CMOS射频开关芯片，广泛应用于无线通信系统中。该器件基于Peregrine独有的UltraCMOS技术，采用先进的硅基半导体工艺制造，具备优异的射频性能和高可靠性。PE42750MLAA-Z是一款单刀双掷（SPDT, Single-Pole Double-Throw）射频开关，设计用于在高频环境下实现快速、低损耗的信号路径切换。其工作频率范围覆盖DC至6GHz，适用于多模多频段的射频前端模块，如蜂窝通信基站、移动设备、Wi-Fi系统、物联网设备以及工业、科学和医疗（ISM）频段应用。
该芯片具有极低的插入损耗和较高的隔离度，在2.5GHz下典型插入损耗仅为0.4dB，而关断通道的隔离度可达35dB以上，确保了信号传输的高效性和系统的抗干扰能力。此外，PE42750MLAA-Z支持3V和5V逻辑控制电平，兼容多种数字控制系统，便于集成到现有电路设计中。其封装形式为1.3mm x 1.3mm超小型MLF（Micro Lead Frame）封装，节省PCB空间，适合高密度布局的便携式设备。由于采用CMOS工艺，该器件还具备出色的ESD（静电放电）防护能力，人体模型（HBM）耐压高达±2kV，增强了在实际应用中的稳定性和耐用性。
类型：SPDT RF开关
工艺技术：UltraCMOS
工作频率：DC ~ 6 GHz
插入损耗（典型值，2.5GHz）：0.4 dB
隔离度（典型值，2.5GHz）：35 dB
输入IP3（IIP3）：+67 dBm
P1dB压缩点：+32 dBm
控制电压：1.8 V / 3.3 V / 5 V 兼容
电源电压：3.3 V 或 5 V
电流消耗：10 μA（待机），80 μA（导通）
封装类型：2x2 MLF-6
工作温度范围：-40°C ~ +85°C
ESD耐压（HBM）：±2 kV
PE42750MLAA-Z的核心优势在于其基于UltraCMOS工艺的先进架构，这种SOI（绝缘体上硅）技术结合了CMOS的低成本、低功耗优势与GaAs器件的高频性能特点，使其在射频开关领域表现出色。该芯片在宽频带范围内实现了极低的插入损耗和高线性度，尤其在2.5GHz至6GHz的高频段仍能保持稳定的性能表现，非常适合5G通信、Wi-Fi 6/6E等高速无线应用。其高IIP3（+67dBm）和高P1dB（+32dBm）指标表明其具备优异的抗干扰能力和大信号处理能力，可在高功率环境中长期稳定运行，不易产生互调失真或信号压缩现象。
另一个显著特性是其灵活的逻辑电平兼容性，支持1.8V、3V和5V TTL/CMOS控制信号，无需额外电平转换电路即可直接与FPGA、MCU或基带处理器接口连接，简化了系统设计复杂度并降低了整体成本。此外，该器件的快速开关切换时间小于30ns，能够满足现代通信系统对高速信号路由的需求，例如TDD（时分双工）模式下的快速收发切换。
PE42750MLAA-Z还具备极低的静态功耗，待机电流仅10μA，导通状态也仅为80μA，非常适合电池供电的便携式设备和对能效要求严苛的应用场景。其紧凑的2x2mm MLF-6封装不仅节省空间，还优化了寄生参数，提升了高频性能。同时，器件内部集成了上拉/下拉电阻，减少了外围元件数量，提高了电路板的集成度和可靠性。综合来看，PE42750MLAA-Z是一款集高性能、低功耗、小尺寸和高集成度于一体的理想射频开关解决方案。
PE42750MLAA-Z广泛应用于各类高频无线通信系统中。在蜂窝网络领域，它可用于宏基站、微基站及射频拉远单元（RRU）中的天线切换、双工器旁路或MIMO天线选择模块。在移动终端方面，该器件适用于智能手机、平板电脑和CPE设备中的Wi-Fi前端模块，支持2.4GHz、5GHz和6GHz频段的无缝切换，提升多频并发性能。此外，在物联网（IoT）设备中，如智能网关、无线传感器节点和工业无线通信模块，PE42750MLAA-Z可实现蓝牙、Zigbee、LoRa等多种无线协议之间的天线共享与路径管理。
该芯片也常用于测试与测量仪器，如矢量网络分析仪、频谱仪和射频自动测试设备（ATE），作为内部信号路由开关，保证测试精度和系统稳定性。在军事和航空航天领域，因其高可靠性和宽温工作能力，也被用于雷达系统、卫星通信终端和电子战设备中的射频信号切换。此外，还可用于无线音频传输、高清视频广播设备以及UWB（超宽带）定位系统中，提供低损耗、高隔离的信号通路保障。
PE42751MLAA-Z
PE42752MLAA-Z
QS42750-SB
