工作频率：DC ~ 6 GHz
　　插入损耗：典型值 0.4 dB（频率 2.5 GHz）
　　隔离度：典型值 35 dB（频率 2.5 GHz）
　　回波损耗：典型值 25 dB（频率 2.5 GHz）
　　切换时间：< 1 μs
　　供电电压：2.3 V ~ 5.5 V
　　控制接口：CMOS 兼容
　　封装形式：16 引脚 QFN
　　工作温度范围：-40°C ~ +85°C

PE42672 的核心优势在于其基于 UltraCMOS 技术的高性能表现和灵活性。
　　首先，UltraCMOS 技术结合了 CMOS 工艺的低成本和高集成度优势，同时具备 GaAs 器件的高频性能，使得 PE42672 能在宽频率范围内（从直流到 6 GHz）实现优异的射频性能。
　　其次，该开关的插入损耗非常低（在 2.5 GHz 下典型值为 0.4 dB），确保了信号在传输过程中的能量损失最小化，适用于对信号完整性要求较高的应用。
　　此外，PE42672 提供了高达 35 dB 的隔离度，有效减少了不同信号路径之间的干扰，提高了系统的整体稳定性。
　　其快速切换时间（小于 1 微秒）使其适用于需要快速切换的应用场景，如软件定义无线电（SDR）、多频段通信系统和测试测量设备。
　　该芯片的控制接口为 CMOS 兼容，方便与数字控制器或 FPGA 进行连接，且供电电压范围较宽（2.3 V 至 5.5 V），增强了设计的灵活性。
　　PE42672 还具有低功耗特性，适合电池供电设备和对功耗敏感的应用场景。

PE42672 广泛应用于各种射频和微波系统中，尤其适合需要高性能射频开关的场合。
　　在无线通信系统中，PE42672 可用于多频段切换、发射/接收路径切换以及天线选择等功能，适用于蜂窝通信（如 4G LTE 和 5G NR）、Wi-Fi 前端模块和物联网（IoT）设备。
　　在测试与测量设备中，该芯片可用于构建多路复用器和信号路径选择器，支持高精度射频信号测试。
　　此外，PE42672 还可用于雷达系统、卫星通信设备和工业控制系统中的射频信号路由管理。
　　由于其宽频带特性，该芯片也可用于软件定义无线电（SDR）平台，支持多标准通信系统的灵活配置。

HMC649A, ADG904, RF1271A