类型：射频开关
　　配置：SP4T（单刀四掷）
　　工艺技术：UltraCMOS
　　工作频率范围：DC 至 6 GHz
　　供电电压：1.8 V 至 3.3 V
　　控制接口：CMOS/LVTTL 兼容
　　插入损耗（典型值）：0.5 dB @ 2.5 GHz
　　隔离度（典型值）：45 dB @ 2.5 GHz
　　上升/下降时间：15 ns
　　输入线性度（IIP3）：+70 dBm
　　ESD 耐受能力：±2 kV HBM
　　封装类型：MLPQ-16 (3 mm × 3 mm)
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C

PE42440MLBB-Z 采用 Qorvo 的 UltraCMOS 技术，这是一项基于蓝宝石上硅（Silicon-on-Sapphire, SOS）的专利半导体工艺，具有出色的射频性能和高度的集成能力。该技术使得器件在高频下仍能保持极低的插入损耗和极高的线性度，同时具备良好的热稳定性和抗干扰能力。这种开关结构在 SP4T 配置中提供了灵活的信号路由选择，允许一个公共端口连接至四个独立的天线或滤波器路径之一，常用于多频段或多模式通信系统中的天线切换或前端模块整合。
　　该器件的一个关键特性是其宽频率响应能力，覆盖从直流到 6 GHz 的范围，这意味着它不仅适用于传统的蜂窝频段（如 GSM、WCDMA、LTE），还可用于 Wi-Fi 5/6（5 GHz）、毫米波回传、UWB 及其他新兴无线标准。其典型的插入损耗仅为 0.5 dB，在 2.5 GHz 下可有效减少信号衰减，提升整体链路预算；同时高达 45 dB 的隔离度确保了不同通道之间的串扰最小化，提升了系统的信噪比和抗干扰能力。
　　PE42440MLBB-Z 还具备优异的功率处理能力，支持高达 +30 dBm 的连续波（CW）功率，且具有高达 +70 dBm 的输入三阶截点（IIP3），表明其在强信号环境下仍能保持良好的线性表现，避免互调失真。这对于基站前端、中继器和高密度部署场景尤为重要。此外，其快速切换时间（约 15 ns）支持动态频率选择和快速信道切换功能，满足现代通信系统对实时性和响应速度的要求。
　　该器件还集成了静电放电（ESD）保护电路，可承受 ±2 kV 的人体模型（HBM）冲击，增强了在生产和现场使用中的可靠性。其小型 MLPQ-16 封装不仅节省 PCB 面积，还优化了寄生参数，有助于维持高频性能的一致性。整体而言，PE42440MLBB-Z 在性能、尺寸、功耗和可靠性之间实现了良好平衡，是一款适用于中高端射频系统的理想开关解决方案。

PE42440MLBB-Z 主要用于需要高性能射频信号切换的各种通信和电子系统中。典型应用包括蜂窝基站中的射频前端模块，用于实现多频段天线共享和波束切换；在无线基础设施中作为滤波器组或功率放大器路径的选择开关；在工业、科学和医疗（ISM）频段设备中用于多通道发射/接收路径管理；以及在宽带无线接入系统如 5G 小基站、固定无线接入（FWA）设备中进行动态频段选择。
　　此外，该器件也适用于测试与测量设备，例如自动测试设备（ATE）、矢量网络分析仪（VNA）和信号发生器，用以构建可重构的射频测试路径，提高测试灵活性和效率。由于其支持高达 6 GHz 的频率范围，也可用于 Wi-Fi 6 接入点、企业级路由器和客户终端设备（CPE）中实现双频段天线切换。在军事和航空航天领域，因其高可靠性和稳定性，可用于雷达系统、电子战设备和安全通信终端中的射频信号路由控制。
　　在物联网网关、远程监控系统和智能城市基础设施中，当需要支持多个无线协议（如 LTE-M、NB-IoT、Wi-Fi、蓝牙）共存时，PE42440MLBB-Z 可作为中心射频开关协调不同射频前端的接入。其低功耗特性和宽电压操作范围也使其适合电池供电或能源敏感型应用。总之，该器件适用于任何要求高线性度、低损耗、快速响应和小尺寸的射频开关应用场景。

PE42441MLBB-Z
　　PE42442MLBB-Z
　　SZ-A1S4Y-A13