类型：吸收式 SPDT 射频开关
　　工艺技术：UltraCMOS (SOI)
　　工作频率范围：DC 至 10 GHz
　　插入损耗：典型值 0.6 dB @ 6 GHz
　　隔离度：典型值 50 dB @ 6 GHz
　　输入IP3（IIP3）：典型值 +65 dBm @ 6 GHz
　　功率处理能力（CW）：+34 dBm
　　VSWR（通路）：典型值 1.3:1
　　控制电压：1.8 V 至 3.3 V 兼容
　　封装形式：2 mm × 2 mm MLP-10（无铅）
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　偏置需求：无需外部偏置（集成偏置电路）
　　ESD 耐受性：HBM > 2 kV

PE40P70K具备多项关键特性，使其成为高性能射频系统中的理想选择。首先，得益于UltraCMOS工艺，该器件实现了极高的线性度和动态范围，其三阶交调点（IIP3）可达+65 dBm以上，确保在存在强干扰信号的情况下仍能保持良好的信号完整性，避免互调失真对系统性能的影响。这一特性尤其适用于多载波基站、微波回传链路和高密度无线接入点等对线性度要求极为严苛的应用场景。
　　其次，PE40P70K在宽频带内提供了非常平坦的插入损耗响应和高隔离度，即使在毫米波边缘频率下也能维持稳定性能。这种宽带一致性减少了系统校准的复杂性，并提升了跨频段操作的可靠性。作为吸收式开关，它不仅提供良好的隔离，还能有效吸收反向泄漏能量，防止信号反射引起的驻波问题，从而增强系统的稳定性与抗干扰能力。
　　再者，该器件集成了完整的控制逻辑与偏置电路，仅需单一正电源供电（通常为3.3 V或5 V），无需负电压或复杂的外部偏置网络，极大简化了电源设计并降低了整体功耗。其快速切换时间小于50 ns，支持高速跳频或时分双工（TDD）模式下的实时信号路由切换。
　　最后，小型化的10引脚MLP封装（2 mm × 2 mm）使得PE40P70K非常适合空间受限的高密度PCB布局，同时具备良好的热导性和机械可靠性。器件符合RoHS环保标准，并通过了严格的工业级温度验证，确保在恶劣环境下的长期稳定运行。这些综合优势使PE40P70K在高端射频开关市场中占据重要地位。

PE40P70K因其卓越的宽带性能、高功率耐受能力和出色线性度，被广泛应用于多个高端射频领域。在无线通信基础设施中，常用于基站收发信机（BTS）的前端模块，实现天线切换、滤波器组选择或多频段信号路由，特别是在支持MIMO和载波聚合的4G/5G宏蜂窝与小基站系统中发挥关键作用。在测试与测量设备方面，如矢量网络分析仪（VNA）、信号发生器和频谱仪，该开关用于自动测试系统中的信号路径切换，保证测试精度与重复性。
　　此外，在国防与航空航天领域，PE40P70K可用于雷达系统、电子战（EW）设备和安全通信终端，满足高频、高可靠性和快速响应的需求。其高隔离度和低互调特性有助于提升系统的抗干扰能力与侦测灵敏度。在宽带固定无线接入（FWA）和点对点微波通信系统中，该器件用于双工或分集天线切换，保障链路稳定性。
　　由于其兼容低电压逻辑控制，也适合集成于便携式或电池供电的射频仪器中。总之，凡是需要在DC至10 GHz范围内实现高性能信号切换的场合，PE40P70K都是一个值得信赖的选择。

PE4269
　　PE43703
　　QS34703