时间：2025/5/23 4:27:28
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PE12007-11NK0-1H 是一款由 Qorvo（原 Peregrine Semiconductor）生产的射频开关芯片，基于 SOI（Silicon-on-Insulator）技术设计。它属于 UltraCMOS 技术系列，适用于高频通信应用，如无线基础设施、测试测量设备和射频前端模块等。该器件具有低插入损耗、高隔离度和出色的线性度性能。
类型：单刀双掷 (SPDT) 射频开关
工作频率范围：DC 至 12 GHz
插入损耗：0.4 dB（典型值，@ 6 GHz）
隔离度：35 dB（典型值，@ 6 GHz）
VSWR：1.2:1（典型值）
线性度（IP3）：+62 dBm（典型值）
电源电压：1.8 V 或 2.85 V
静态电流：10 μA（最大值）
封装形式：16 引脚 LLP 封装 (3 x 3 mm)
工作温度范围：-55°C 至 +125°C
PE12007-11NK0-1H 提供了卓越的射频性能，覆盖从直流到 12 GHz 的宽广频率范围。
其采用先进的 UltraCMOS 工艺，确保了低插入损耗和高隔离度，同时具备优异的线性度表现，非常适合对动态范围要求较高的应用。
该器件支持 1.8V 和 2.85V 双电源模式，能够灵活适应不同系统需求，并且在低功耗模式下表现出色。
此外，其小型化 3x3mm 封装使其成为空间受限设计的理想选择，同时支持表面贴装技术 (SMT)，便于大规模生产。
其耐热性和宽温范围也使该芯片适用于苛刻环境下的高性能射频系统。
PE12007-11NK0-1H 广泛应用于各种射频通信领域，包括：
无线基础设施中的信号切换与分配
蜂窝网络设备中的射频链路管理
测试测量仪器中的高频信号路径控制
航空航天和国防领域的射频前端模块
雷达系统中的多通道信号切换
工业、科学和医疗 (ISM) 领域的高频通信设备
PE42007
PE42009
PE4210
