类型：齐纳二极管
　　标称齐纳电压：7.5 V
　　齐纳电压容差：±5%
　　功率耗散：500 mW
　　最大齐纳电流：189 mA
　　测试电流：5 mA
　　动态阻抗（典型值）：35 Ω
　　工作结温范围：-65 °C 至 +150 °C
　　封装类型：SOD-323 (SC-76)
　　极性：单齐纳二极管
　　反向漏电流（最大值）：1 μA @ 1 V

PDZ7.5B齐纳二极管具备优异的电压稳定性能，能够在宽泛的工作电流范围内提供精确的7.5V参考电压。其关键特性之一是高精度的电压容差控制，通常为±5%，这确保了在批量生产过程中电路的一致性和可预测性。该器件在5mA的标准测试电流下表现出稳定的电气行为，同时具有较低的动态阻抗（典型值约为35Ω），这意味着当负载或输入条件发生变化时，输出电压的波动较小，从而提升了系统的稳定性。PDZ7.5B采用先进的硅半导体工艺制造，具备良好的长期可靠性和老化特性，能够在恶劣环境条件下长期运行而不显著漂移其齐纳电压。其SOD-323封装不仅体积小巧，便于自动化贴片组装，而且具有优良的散热能力，能够在不超过500mW的功率范围内有效散发热量。此外，该器件拥有较宽的工作结温范围（-65°C至+150°C），使其适用于高温或低温极端环境下的应用，如汽车电子、工业传感器和电源监控电路。PDZ7.5B还表现出较低的反向漏电流，在未达到击穿电压前几乎不导通，减少了待机状态下的能量损耗，提高了能效。这些综合特性使得PDZ7.5B成为中小功率模拟电路中理想的电压基准元件。
　　值得一提的是，PDZ7.5B的设计优化了温度系数匹配点，使其在7.5V附近实现相对较低的温度漂移，相较于低电压或极高电压齐纳二极管，该电压等级的器件往往具有更优的温度稳定性。这种特性对于需要长时间稳定工作的精密测量设备尤为重要。此外，该器件符合RoHS环保标准，不含铅和其他有害物质，支持无铅焊接工艺，适应现代绿色电子制造的需求。其可靠的封装结构也具备一定的机械强度和防潮性能，增强了在复杂环境中的耐用性。总体而言，PDZ7.5B是一款高性能、小尺寸、高可靠性的表面贴装齐纳二极管，广泛应用于各种对空间和稳定性要求较高的电子系统中。

PDZ7.5B齐纳二极管广泛应用于需要稳定参考电压的小功率电子电路中。常见用途包括电源电压监测电路，其中它作为过压保护或欠压检测的参考基准，确保系统在安全电压范围内运行。在低压直流电源系统中，PDZ7.5B可用于构建简单的并联稳压器，为微控制器、传感器或其他敏感模拟电路提供干净的局部供电。此外，它也常用于信号电平钳位，防止输入信号超过允许范围而损坏后续IC器件，例如在通信接口或数据采集前端电路中。在电池供电设备中，PDZ7.5B可用于构建低功耗电压参考源，配合比较器或ADC实现电池电量检测功能。由于其SOD-323封装尺寸极小，非常适合智能手机、可穿戴设备、物联网节点等高度集成的便携式电子产品。在工业控制系统中，该器件可用于隔离电路中的电压基准设置，或在PLC模块中实现信号调理功能。另外，PDZ7.5B还可用于替代更大封装的齐纳管以节省PCB空间，尤其是在高密度布局设计中。其良好的温度稳定性和长期可靠性也使其适用于汽车电子应用，如车身控制模块、车载传感器接口和仪表盘电路。总之，凡是需要一个紧凑、可靠且成本效益高的7.5V电压基准的场合，PDZ7.5B都是一个理想选择。

BZT52C7V5
　　MMSZ5236B
　　PZM7.5
　　ZMM7.5