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PDTD123ET,215 发布时间 时间:2025/9/14 20:53:46 查看 阅读:10

PDTD123ET,215是一款由Nexperia(原恩智浦半导体的小信号部门)制造的双极性晶体管(BJT),主要用于通用开关和放大应用。该晶体管属于NPN型,采用SOT-23(也称为TO-236)封装,适用于表面贴装技术(SMT)组装,适合在紧凑型电子设备中使用。PDTD123ET,215具有良好的电气特性和热稳定性,能够在相对较高的频率下工作,因此广泛应用于消费电子、工业控制和通信设备中。

参数

晶体管类型:NPN
  最大集电极-发射极电压(Vceo):100 V
  最大集电极电流(Ic):100 mA
  最大功耗(Ptot):300 mW
  增益带宽积(fT):100 MHz
  电流增益(hFE):在Ic=2 mA时,最小为110(根据等级不同可能变化)
  封装类型:SOT-23(TO-236)

特性

PDTD123ET,215是一款高性能的NPN型晶体管,适用于多种通用电子电路设计。其主要特性包括较高的电流增益(hFE),这使得它在小信号放大电路中表现出色,能够有效放大微弱信号而不失真。该晶体管的最大集电极-发射极电压为100 V,具有良好的电压承受能力,可以适应多种电源和负载条件下的应用需求。
  该器件的最大功耗为300 mW,使其能够在一定的功率应用中使用,同时保持较低的发热。其增益带宽积为100 MHz,意味着该晶体管可以在较高频率下工作,适用于射频(RF)或高速开关电路。
  PDTD123ET,215采用SOT-23封装,具有较小的尺寸,便于在高密度印刷电路板(PCB)上安装。该封装还具备良好的热传导性能,有助于提高器件的稳定性和可靠性。此外,该晶体管的制造工艺符合RoHS环保标准,不含铅和卤素,适合环保型电子设备的设计和制造。
  由于其良好的电气性能和稳定性,PDTD123ET,215可以用于各种通用开关电路、逻辑电平转换、继电器驱动、LED控制、传感器接口等应用。它也可以作为达林顿晶体管的预驱动级,提高整体电路的增益和效率。

应用

PDTD123ET,215晶体管广泛应用于多个领域,包括消费电子、工业自动化、通信设备和汽车电子。在消费电子方面,它可用于智能手机、平板电脑、可穿戴设备中的电源管理和信号处理电路。在工业控制中,该晶体管常用于PLC(可编程逻辑控制器)、传感器接口和继电器驱动电路。在通信设备中,它适用于射频放大器、数据传输接口和信号调节电路。此外,由于其良好的电气特性和可靠性,PDTD123ET,215也可用于汽车电子系统,如车身控制模块、车载娱乐系统和车载导航设备。

替代型号

BC847 NPN, 2N3904, PN2222A

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PDTD123ET,215参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式
  • 系列-
  • 晶体管类型NPN - 预偏压
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)500mA
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)50V
  • 电阻器 - 基极 (R1)(欧)2.2k
  • 电阻器 - 发射极 (R2)(欧)2.2k
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)40 @ 50mA,5V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)300mV @ 2.5mA,50mA
  • 电流 - 集电极截止(最大)500nA
  • 频率 - 转换-
  • 功率 - 最大250mW
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供应商设备封装TO-236AB
  • 包装带卷 (TR)