PDTD114ET 时间：2025/9/14 0:57:27 阅读：4

PDTD114ET是一款由STMicroelectronics（意法半导体）生产的N沟道增强型功率MOSFET晶体管，广泛应用于电源管理和功率控制领域。该器件采用先进的Trench栅极技术，以实现低导通电阻（RDS(on)）和高开关性能。PDTD114ET适用于多种功率电子设备，包括DC-DC转换器、电机驱动、负载开关和电池管理系统等。

参数

类型：N沟道
　　漏源电压（VDS）：30V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）：4.3A（在VGS=10V时）
　　导通电阻（RDS(on)）：110mΩ（最大值，在VGS=10V时）
　　封装类型：SOT-223
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　功率耗散（PD）：1.5W
　　输入电容（Ciss）：500pF（典型值，在VGS=0V时）

特性

PDTD114ET具有多项优异的电气和物理特性，确保其在各种应用中表现出色。首先，其低导通电阻（RDS(on)）显著降低了导通损耗，提高了系统效率。其次，该器件采用先进的Trench栅极技术，提升了开关性能，减少了开关损耗，适合高频应用。此外，PDTD114ET的封装形式为SOT-223，具有良好的热性能和机械稳定性，能够有效散热并确保长期可靠性。该MOSFET还具有较高的雪崩能量耐受能力，能够在瞬态条件下提供额外的保护。最后，其栅极驱动要求较低，适合与常见的驱动电路配合使用。
　　该器件在制造过程中采用了严格的质量控制标准，确保了其在恶劣工作环境下的稳定性和一致性。PDTD114ET的阈值电压（VGS(th)）典型值为1.5V，确保了其在较低的栅极电压下仍能正常导通。此外，其反向恢复时间（trr）较短，适合用于需要快速开关的应用场合。PDTD114ET还具备良好的抗静电能力，减少了在操作和安装过程中因静电放电（ESD）导致损坏的风险。

应用

PDTD114ET广泛应用于多个领域的功率控制和管理电路中。在电源管理方面，该器件常用于DC-DC转换器、同步整流器和负载开关，以提高转换效率并减少功耗。在电机驱动应用中，PDTD114ET可用于H桥驱动电路，实现对直流电机或步进电机的精确控制。此外，它还适用于电池管理系统（BMS），用于控制电池的充放电过程，确保电池组的安全运行。由于其低导通电阻和良好的热性能，PDTD114ET也适合用于高功率LED驱动电路、电源适配器和工业自动化设备中的功率开关。
　　在消费类电子产品中，PDTD114ET可用于智能家电、便携式电子设备和电源管理模块，提供高效的功率控制解决方案。在汽车电子领域，该器件可用于车载充电器、车身控制模块和车载娱乐系统中的功率开关。由于其工作温度范围宽广，PDTD114ET也适用于工业控制和自动化设备中的功率管理应用。