时间：2025/9/15 2:52:11
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PDTD113ZT是一款由ROHM Semiconductor生产的双极性晶体管（BJT）阵列，内部集成了两个NPN晶体管，采用SOT-563封装。该器件适用于需要高集成度和稳定性的电路设计，特别是在需要多个晶体管协同工作的场合，例如开关电路、放大电路和逻辑控制电路等。PDTD113ZT具有紧凑的封装尺寸，非常适合空间受限的应用场景，同时具备良好的电气性能和可靠性。
类型：NPN双极性晶体管阵列
集电极-发射极电压（VCEO）：50V
最大集电极电流（IC）：100mA
最大功率耗散（PD）：200mW
增益（hFE）：110至800（根据电流和型号划分）
工作温度范围：-55°C至+150°C
封装类型：SOT-563
引脚数：6
PDTD113ZT的核心特性在于其集成化设计，将两个NPN晶体管集成在一个封装中，有效减少了PCB板上的元件数量，提高了系统的集成度和稳定性。该器件的hFE值范围宽广，从110到800，使得其适用于多种放大和开关应用，能够满足不同工作条件下的增益需求。PDTD113ZT采用了ROHM先进的制造工艺，确保了晶体管之间良好的匹配性和一致性，这在需要并联使用或匹配性能的电路中尤为重要。此外，该器件的工作温度范围宽广，能够在-55°C至+150°C之间稳定工作，适用于各种严苛的环境条件。
在封装方面，SOT-563是一种小型化的表面贴装封装形式，具有较小的体积和较轻的重量，非常适合高密度安装和自动化生产流程。该封装还具备良好的热管理和电气性能，有助于提高器件在高负载条件下的可靠性。PDTD113ZT的最大功率耗散为200mW，能够在不使用额外散热器的情况下处理中等功率的应用需求。
PDTD113ZT广泛应用于各种电子设备和系统中，包括但不限于以下领域：首先，在数字电路中，该器件可以用作逻辑门、缓冲器和开关控制电路，其高增益和快速响应特性使其非常适合数字信号处理和控制应用。其次，在模拟电路中，PDTD113ZT可以用于信号放大、滤波和调节，其宽广的增益范围和稳定的电气性能确保了信号处理的准确性和可靠性。
此外，该器件也常用于电源管理系统，例如DC-DC转换器、负载开关和电压调节器等，其高耐压能力和良好的热稳定性使其能够承受较宽的输入电压范围，并在高负载条件下保持稳定运行。在工业自动化和控制系统中，PDTD113ZT可以用于传感器信号处理、继电器驱动和电机控制等应用场景。最后，在消费类电子产品中，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备，PDTD113ZT的小型化封装和高性能特性使其成为理想的元件选择。
PDTD113YTA、PDTD113ET、PDTD113Z
