时间：2025/6/21 2:44:34
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PDTD113EU 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用 PDFN33 封装形式。该器件具有较低的导通电阻和高开关速度，适用于多种高效能功率转换应用。其设计优化了导通损耗和开关损耗之间的平衡，从而提高了整体系统效率。
这款 MOSFET 广泛应用于消费电子、工业设备以及通信领域的电源管理中，例如 DC-DC 转换器、电池充电器、电机驱动等。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：3.2A
导通电阻（典型值）：45mΩ
栅极电荷：7nC
总电容：850pF
工作结温范围：-55℃ 至 +150℃
1. 极低的导通电阻，有助于减少传导损耗，提升效率。
2. 高速开关性能，适合高频应用场合。
3. 小尺寸 PDFN33 封装，节省 PCB 空间。
4. 较宽的工作温度范围，能够在恶劣环境下可靠运行。
5. 符合 RoHS 标准，绿色环保设计。
1. 开关模式电源 (SMPS) 中的同步整流。
2. DC-DC 转换器中的高端或低端开关。
3. 电池供电设备中的负载开关。
4. 便携式电子产品的电源管理。
5. 电机驱动电路中的开关元件。
6. 各种保护电路，如过流保护和短路保护。
PSTD113EU, IRF7401, AO3400
