PDTC143ZT 是一款高性能、低功耗的 N 沟道增强型功率场效应晶体管(MOSFET),适用于高电流和高电压应用。该器件采用先进的制造工艺,具有优异的导通电阻和开关性能,广泛应用于电源管理、电机驱动、逆变器和其他需要高效电能转换的场景。
PDTC143ZT 的封装形式通常为 TO-220 或类似散热性能良好的封装,使其能够承受较高的结温和功率损耗,从而提高系统的稳定性和可靠性。
最大漏源电压:60V
连续漏极电流:85A
导通电阻:2.7mΩ
栅极电荷:22nC
输入电容:1690pF
工作温度范围:-55℃ 至 +175℃
PDTC143ZT 具有以下主要特性:
1. 极低的导通电阻(Rds(on)),可有效降低功率损耗并提升效率。
2. 快速开关能力,适合高频应用场合。
3. 高雪崩能量能力,增强了器件在异常情况下的鲁棒性。
4. 热稳定性强,能够在高温环境下长期可靠运行。
5. 小尺寸封装与良好的散热设计相结合,方便 PCB 布局和系统集成。
6. 符合 RoHS 标准,环保且易于使用在现代电子产品中。
PDTC143ZT 广泛应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS)中的功率级控制。
2. 电动工具和家用电器中的电机驱动。
3. 工业自动化设备中的负载切换。
4. 电池管理系统(BMS)中的充放电保护。
5. 太阳能逆变器和不间断电源(UPS)中的功率转换。
6. 汽车电子系统中的各种高电流开关应用。
IRFZ44N
STP85N60
FDP15U60E