您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > PDTC143TMB,315

PDTC143TMB,315 发布时间 时间:2025/9/14 17:26:07 查看 阅读:40

PDTC143TMB,315 是一款由NXP Semiconductors(恩智浦半导体)生产的双极性晶体管(BJT),属于PNP型晶体管。该器件采用SOT-23(Small Outline Transistor)封装,适用于需要高集成度和小尺寸封装的电子电路设计。PDTC143TMB,315 内部集成了一个PNP晶体管,并且基极(B)与发射极(E)之间集成了一定值的偏置电阻,使其在逻辑电平转换和开关电路中具有良好的性能。该器件广泛用于数字逻辑电路、接口电路、信号放大和小型电子设备中。

参数

类型:PNP晶体管
  封装类型:SOT-23
  最大集电极-发射极电压(VCEO):100V
  最大集电极电流(IC):100mA
  功率耗散(PD):300mW
  电流增益(hFE):最高可达800(在IC=2mA,VCE=5V条件下)
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C
  存储温度范围:-65°C 至 +150°C
  基极-发射极电压(VBE):最大10V
  集电极-基极电压(VCB):100V

特性

PDTC143TMB,315 是一款具有集成偏置电阻的PNP晶体管,具备优良的电气特性和稳定的性能。该器件的集成偏置电阻设计可以减少外部电路元件的数量,简化PCB布局,提高电路的可靠性。此外,其SOT-23封装形式具有体积小、重量轻、安装方便等特点,适用于高密度电子设备。
  该晶体管的高电流增益(hFE)使其在放大电路中具有良好的性能,同时在开关应用中也能提供快速响应。由于其最大集电极-发射极电压为100V,PDTC143TMB,315 可用于中等电压级别的电路应用。其最大集电极电流为100mA,适合用于低功耗的控制和逻辑接口电路。
  该晶体管的热稳定性良好,可在-55°C至+150°C的工作温度范围内稳定运行,适用于各种工业环境。同时,其封装材料符合RoHS标准,支持环保应用设计。PDTC143TMB,315 通常用于逻辑电平转换、LED驱动、继电器控制、信号放大等应用场景。

应用

PDTC143TMB,315 主要应用于需要低功耗、小尺寸封装和集成偏置电阻的电子电路中。典型应用包括微控制器的输出接口电路、LED和继电器的开关控制、逻辑电平转换、模拟信号放大以及各类便携式电子产品中的控制电路。
  在数字电路中,该晶体管常用于将微控制器或逻辑IC的输出信号转换为更高电压或电流的驱动信号,以控制外部负载如LED、小型继电器或电机。在放大电路中,PDTC143TMB,315 可用于音频信号的前置放大或功率放大,适用于小型音频设备和传感器信号调理电路。
  此外,该晶体管还适用于电池供电设备、消费类电子产品、工业自动化控制模块以及汽车电子系统中的控制与驱动电路。由于其集成偏置电阻的特性,减少了外围元件数量,提高了整体系统的稳定性和可靠性。

替代型号

BC847BW, BC857BW, MMBT3906, PN2907

PDTC143TMB,315推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

PDTC143TMB,315参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格10,000 : ¥0.28676卷带(TR)
  • 系列Automotive, AEC-Q100
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 晶体管类型NPN - 预偏压
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值)100 mA
  • 电压 - 集射极击穿(最大值)50 V
  • 电阻器 - 基极 (R1)4.7 kOhms
  • 电阻器 - 发射极 (R2)-
  • 不同?Ic、Vce?时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)200 @ 1mA,5V
  • 不同?Ib、Ic 时?Vce 饱和压降(最大值)100mV @ 250μA,5mA
  • 电流 - 集电极截止(最大值)1μA
  • 频率 - 跃迁230 MHz
  • 功率 - 最大值250 mW
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳3-XFDFN
  • 供应商器件封装DFN1006B-3