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PDTC123JU,115 发布时间 时间:2025/9/14 21:56:58 查看 阅读:30

PDTC123JU,115 是一款由Nexperia(原恩智浦半导体的一部分)制造的双极型晶体管,属于NPN型晶体管。该晶体管设计用于通用放大和开关应用,具有良好的高频响应和稳定的工作特性。

参数

类型: NPN晶体管
  集电极-发射极电压(Vceo): 50V
  集电极电流(Ic): 100mA
  功率耗散(Ptot): 300mW
  过渡频率(fT): 100MHz
  封装类型: SOT-23

特性

PDTC123JU,115晶体管具有优异的高频性能,适合用于射频和音频放大电路。
  其封装形式为SOT-23,属于小型表面贴装封装,适用于紧凑型电路设计。
  该晶体管的集电极-发射极电压为50V,能够在较宽的电压范围内稳定工作。
  最大集电极电流为100mA,适合中等功率的开关和放大应用。
  过渡频率达到100MHz,支持较高的信号处理速度。
  此外,该器件的功率耗散为300mW,能够在一定程度上承受热应力,提高工作可靠性。
  由于其良好的线性特性和低噪声表现,PDTC123JU,115广泛应用于通信设备、消费电子产品和工业控制系统中。

应用

PDTC123JU,115晶体管主要用于射频和音频放大器设计,适用于通信设备中的信号放大。
  在消费电子产品中,它可用于音频放大电路、开关电路以及传感器信号处理。
  工业控制系统中,该晶体管可应用于数据采集模块、驱动电路和接口电路。
  此外,PDTC123JU,115也常用于电源管理、LED驱动以及逻辑电平转换等应用场景。

替代型号

BC847 NPN晶体管, 2N3904 NPN晶体管

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PDTC123JU,115参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式
  • 系列-
  • 晶体管类型NPN - 预偏压
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)100mA
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)50V
  • 电阻器 - 基极 (R1)(欧)2.2k
  • 电阻器 - 发射极 (R2)(欧)47k
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)100 @ 10mA,5V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)100mV @ 250µA,5mA
  • 电流 - 集电极截止(最大)1µA
  • 频率 - 转换-
  • 功率 - 最大200mW
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳SC-70,SOT-323
  • 供应商设备封装SC-70
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称934057539115PDTC123JU T/RPDTC123JU T/R-ND