PDTC123ET 时间：2025/9/15 4:00:08 阅读：13

PDTC123ET 是一款由 Nexperia（原恩智浦半导体的小信号部门）生产的双极型晶体管（BJT），属于 NPN 型晶体管。该器件采用 SOT-23（TO-236）小型封装，适用于各种通用放大和开关应用。PDTC123ET 的设计使其在中等功率应用中表现出良好的稳定性和可靠性，广泛用于模拟电路、数字开关电路以及嵌入式系统中的信号控制。该晶体管具有良好的热稳定性和响应速度，适合在多种电子设备中使用。

参数

类型：NPN 双极型晶体管
　　集电极-发射极电压（VCEO）：50V
　　集电极-基极电压（VCBO）：50V
　　发射极-基极电压（VEBO）：5V
　　集电极电流（IC）：100mA
　　功耗（PD）：300mW
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：SOT-23（TO-236）

特性

PDTC123ET 晶体管具备多项优良特性，适用于广泛的电子设计应用。首先，其最大集电极-发射极电压（VCEO）为 50V，允许在中等电压环境下稳定工作，同时集电极电流（IC）可达 100mA，使其适用于中低功率的开关和放大任务。该器件的封装形式为 SOT-23，体积小巧，便于在 PCB 上进行高密度布局，适用于便携式电子产品和嵌入式系统。
　　其次，PDTC123ET 拥有良好的热稳定性，其最大功耗为 300mW，能够在较高温度下持续运行而不会显著影响性能。此外，该晶体管的增益（hFE）在不同工作条件下保持稳定，有助于提高电路的可靠性和一致性。其工作温度范围为 -55°C 至 +150°C，满足工业级和部分汽车电子应用的需求。
　　再次，该晶体管具有快速开关能力，适用于数字电路中的开关应用，如继电器驱动、LED 控制、逻辑电平转换等。其发射极-基极电压（VEBO）为 5V，使得在逻辑电路中与 TTL 或 CMOS 驱动器配合使用时无需额外的保护电路。此外，PDTC123ET 在低噪声放大应用中也表现出良好的性能，适合用于前置放大器、音频信号放大等场景。
　　最后，该晶体管的制造工艺采用了 Nexperia 成熟的硅外延平面技术，确保了器件的高可靠性和长寿命，降低了因温度变化或电压波动导致的故障率。这使得 PDTC123ET 成为工业自动化、消费电子、汽车电子等多种应用中的理想选择。

应用

PDTC123ET 主要用于各类通用晶体管应用，包括但不限于：在数字电路中作为开关晶体管控制 LED、继电器、小型马达等负载；在模拟电路中作为信号放大器用于音频、传感器信号处理；在嵌入式系统中用于电平转换或驱动 MOSFET 栅极；在电源管理电路中用于稳压器或电流控制电路；以及在工业控制系统中用于信号隔离和驱动接口电路。