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PDTC123ET,215 发布时间 时间:2025/9/14 23:48:30 查看 阅读:11

PDTC123ET,215 是一款由 Nexperia(安世半导体)制造的 NPN 型双极性晶体管 (BJT),属于数字晶体管(Digital Transistor)系列。这类晶体管通常内置一个或多个基极-发射极电阻,使其可以直接与数字电路连接,无需外部偏置电阻。PDTC123ET,215 特别适用于需要开关功能的低功率应用,例如逻辑电平转换、继电器驱动、LED 控制等。

参数

类型:NPN 双极性晶体管
  最大集电极电流(Ic):100 mA
  最大集电极-发射极电压(Vce):50 V
  最大基极电流(Ib):50 mA
  功耗(Ptot):300 mW
  电流增益(hFE):110-800(根据型号后缀不同而变化)
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C
  封装类型:SOT-23(SC-59)
  安装类型:表面贴装(SMD)
  引脚数:3
  内置基极电阻:10 kΩ 和 10 kΩ

特性

PDTC123ET,215 的一个显著特点是其内置的基极和发射极电阻,通常分别为 10 kΩ,这使得该晶体管可以直接与微控制器或其他数字逻辑电路连接,无需额外的偏置电路。这种设计不仅简化了电路设计,还减少了 PCB 上的元件数量和空间占用。该晶体管具有良好的稳定性和可靠性,适用于各种通用开关应用。
  该器件采用 SOT-23 封装,体积小巧,适合高密度 PCB 布局。其较高的最大集电极-发射极电压(50V)使其在中等电压环境下也能稳定工作。此外,PDTC123ET,215 的工作温度范围广泛(-55°C 至 +150°C),适合在恶劣环境条件下使用,如汽车电子、工业控制和消费类电子产品中。
  该晶体管在制造过程中采用了先进的工艺技术,确保了良好的电流增益(hFE)一致性,其 hFE 范围根据后缀不同可在 110 至 800 之间。这种宽广的 hFE 范围使其适用于不同类型的开关应用,确保在各种负载条件下都能提供稳定的性能。

应用

PDTC123ET,215 主要用于需要逻辑电平控制的开关电路中。例如,它可以用于控制 LED 指示灯、小型继电器、风扇、蜂鸣器等低功率负载。由于其内置电阻设计,该晶体管常用于嵌入式系统中,作为微控制器与外围设备之间的接口电路。此外,它也可用于信号放大、电平转换以及逻辑电路中的缓冲器。
  在汽车电子系统中,PDTC123ET,215 可用于控制仪表盘照明、车门锁、灯光控制模块等。在工业控制领域,它可用于 PLC 输入/输出接口、继电器驱动、传感器信号切换等。在消费类电子产品中,该晶体管可以用于控制小型马达、按钮背光、显示屏背光等应用场景。
  此外,PDTC123ET,215 还可以用于数字电路中的缓冲器和开关元件,例如在电源管理电路中作为负载开关使用。由于其低功耗特性和良好的温度稳定性,也适用于便携式电子设备中的电池供电电路。

替代型号

MMBT3904LT1G, BC847B, 2N3904, FMMT2907A

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PDTC123ET,215参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式
  • 系列-
  • 晶体管类型NPN - 预偏压
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)100mA
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)50V
  • 电阻器 - 基极 (R1)(欧)2.2k
  • 电阻器 - 发射极 (R2)(欧)2.2k
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)30 @ 20mA,5V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)150mV @ 500µA,10mA
  • 电流 - 集电极截止(最大)1µA
  • 频率 - 转换-
  • 功率 - 最大250mW
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供应商设备封装TO-236AB
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称934054697215PDTC123ET T/RPDTC123ET T/R-ND