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PDTC123EMB,315 发布时间 时间:2025/9/14 4:41:32 查看 阅读:5

PDTC123EMB,315 是一款由Nexperia(安世半导体)制造的双极型晶体管(BJT),属于NPN型晶体管。这款晶体管主要用于通用逻辑开关和放大应用。PDTC123EMB,315采用了SOT23(Small Outline Transistor)封装,具有体积小、功耗低、可靠性高等特点,非常适合在便携式电子设备、消费类电子产品以及工业控制系统中使用。该晶体管内部集成了两个NPN晶体管,可以用于构建复合逻辑电路或实现信号放大功能。

参数

晶体管类型:NPN 双极晶体管
  封装类型:SOT23
  最大集电极-发射极电压(Vceo):100V
  最大集电极电流(Ic):100mA
  最大功耗(Ptot):300mW
  电流增益(hFE):在Ic=2mA时为110至800(具体数值根据后缀不同而变化)
  工作温度范围:-55°C 至 150°C
  频率响应:最大特征频率(fT)为100MHz

特性

PDTC123EMB,315的主要特性包括其优异的电流放大性能、低饱和电压、快速开关能力以及高可靠性。由于其集成两个NPN晶体管在同一个封装内,可以有效减少PCB板的空间占用,适用于紧凑型设计。
  首先,这款晶体管的电流增益(hFE)范围广泛,从110到800不等,这使其能够适应多种放大和开关电路的需求。此外,hFE的值会根据不同的型号后缀而变化,设计人员可以根据具体应用场景选择合适的增益等级。
  其次,PDTC123EMB,315具有较低的集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)),通常在Ic=100mA时约为0.2V。这种低饱和电压特性有助于降低功耗,提高系统的整体效率,尤其适用于电池供电设备。
  第三,晶体管的频率响应性能优异,特征频率(fT)高达100MHz,这意味着它可以在高频开关应用中表现良好,适用于数字电路和高速逻辑控制。
  最后,PDTC123EMB,315的SOT23封装具有良好的热稳定性和机械强度,能够在恶劣环境中保持稳定工作。其工作温度范围从-55°C到150°C,适合在各种工业和消费类电子设备中使用。

应用

PDTC123EMB,315广泛应用于各类电子电路中,包括信号放大器、逻辑电平转换、继电器驱动、LED控制、电源管理以及嵌入式系统中的开关电路。
  在信号放大方面,该晶体管可用于音频放大器前置级、传感器信号调理电路等。由于其高增益特性,能够有效放大微弱信号,适用于低噪声放大电路的设计。
  在数字电路中,PDTC123EMB,315常用于构建逻辑门电路、电平转换器以及缓冲器。其快速开关特性使其适用于高速数字信号处理。
  此外,该晶体管也常用于驱动小型负载,如LED、小型继电器或电机。其最大集电极电流可达100mA,足以驱动大多数低功耗负载,同时其低饱和电压特性也有助于减少能量损耗。
  在工业自动化系统中,PDTC123EMB,315可用于PLC(可编程逻辑控制器)的输入/输出模块,作为信号隔离和放大元件,确保信号的稳定传输。

替代型号

BC847系列, PN2222A, 2N3904, MMBT3904

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PDTC123EMB,315参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格10,000 : ¥0.28676卷带(TR)
  • 系列Automotive, AEC-Q100
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 晶体管类型NPN - 预偏压
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值)100 mA
  • 电压 - 集射极击穿(最大值)50 V
  • 电阻器 - 基极 (R1)2.2 kOhms
  • 电阻器 - 发射极 (R2)2.2 kOhms
  • 不同?Ic、Vce?时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)30 @ 20mA,5V
  • 不同?Ib、Ic 时?Vce 饱和压降(最大值)150mV @ 500μA,10mA
  • 电流 - 集电极截止(最大值)1μA
  • 频率 - 跃迁230 MHz
  • 功率 - 最大值250 mW
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳3-XFDFN
  • 供应商器件封装DFN1006B-3