类型：NPN晶体管阵列
　　封装：SOT-363（SC-82）
　　最大集电极-发射极电压（VCEO）：50V
　　最大集电极电流（IC）：100mA
　　最大功耗（PD）：200mW
　　电流放大系数（hFE）：110~800（取决于工作电流）
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　存储温度范围：-65°C ~ +150°C
　　安装方式：表面贴装（SMD）

PDTC114YMB315的主要特性包括：
　　1. 集成度高：在一个封装内集成了两个独立的NPN晶体管，适合用于需要多个晶体管的电路设计，有效减少PCB板空间占用。
　　2. 内置基极电阻：每个晶体管的基极与发射极之间都集成了电阻器，简化了外围电路设计，使得该晶体管可以直接由微控制器或其他数字信号源驱动，无需额外的偏置元件。
　　3. 高可靠性：采用Nexperia先进的硅工艺制造，具有良好的稳定性和可靠性，适用于工业控制、消费电子和通信设备等多种应用环境。
　　4. 低饱和电压：晶体管在导通状态下的集电极-发射极饱和电压（VCE(sat)）较低，有助于降低功耗并提高效率。
　　5. 快速开关能力：具有较快的开关响应时间，适合用于高频开关和数字控制电路。
　　6. 热稳定性好：由于封装结构和材料的优化设计，该器件在高温环境下仍能保持良好的工作性能。

PDTC114YMB315适用于多种电子电路设计，主要包括：
　　1. 逻辑电平转换：在数字电路中作为电平转换器，将低压控制信号转换为高压输出信号，以驱动高电压或大电流负载。
　　2. 继电器或LED驱动：用于驱动小型继电器、LED显示屏或其他负载，由于其内置基极电阻，可以简化驱动电路设计。
　　3. 缓冲放大器：在信号处理电路中作为缓冲器或放大器，提高信号的驱动能力。
　　4. 开关电路：用于开关电源、电机控制、传感器接口等需要高频开关的场合。
　　5. 工业自动化控制：如PLC模块、工业传感器、数据采集系统等场合，作为信号放大或开关控制元件。
　　6. 消费电子产品：如智能手机、平板电脑、可穿戴设备等，用于电源管理、信号切换等功能。

MMBT3904LT1G, 2N3904, BC847B, BC817-25, PN2222A