PDTB123YUF 时间：2025/9/14 8:49:59 阅读：4

PDTB123YUF 是一款由 Diodes 公司（Diodes Incorporated）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件采用先进的沟槽式 MOSFET 技术，具有低导通电阻、高开关速度和优良的热性能。该器件采用 8 引脚 TDFN 封装，适用于高密度和高效率的电源管理系统。

参数

类型：N 沟道 MOSFET
　　漏源电压（Vds）：20V
　　栅源电压（Vgs）：±12V
　　连续漏极电流（Id）：4.3A
　　导通电阻（Rds(on)）：23mΩ（典型值）@ Vgs=4.5V
　　导通电阻（Rds(on)）：32mΩ（典型值）@ Vgs=2.5V
　　功耗（Pd）：2.0W
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装：8-TDFN

特性

PDTB123YUF 的主要特性之一是其低导通电阻，这有助于减少导通损耗并提高整体系统效率。在 4.5V 的栅极驱动电压下，Rds(on) 的典型值仅为 23mΩ，这使得它非常适合用于负载开关、DC-DC 转换器和电池管理系统等应用。此外，该器件还具有良好的热性能，能够在高电流条件下保持稳定运行。
　　这款 MOSFET 使用了先进的沟槽式工艺技术，提高了器件的导电性能，同时优化了开关特性，降低了开关损耗。其栅极驱动电压范围较宽，支持 2.5V 至 4.5V 的驱动电压，使其兼容多种控制 IC 和逻辑电平电路。
　　8-TDFN 封装提供了较小的尺寸和良好的散热性能，适用于空间受限的便携式设备和高密度 PCB 设计。此外，该器件符合 RoHS 标准，支持无铅焊接工艺，适合环保型电子产品制造。

应用

PDTB123YUF 通常用于需要高效能和小尺寸封装的电源管理应用。常见应用包括笔记本电脑、平板电脑和智能手机中的负载开关、同步整流器、DC-DC 降压/升压转换器、电池充电电路以及电源管理单元（PMU）。此外，该器件也适用于工业自动化设备、LED 照明驱动器和小型电机控制系统。
　　由于其良好的热管理和高导通性能，该 MOSFET 也适合用于需要频繁开关操作的应用场景，如脉宽调制（PWM）控制和电源轨切换。在电源适配器、USB PD 电源管理和便携式储能设备中也有广泛应用。