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PDTB123YQAZ 发布时间 时间:2025/9/14 8:24:13 查看 阅读:8

PDTB123YQAZ 是一款由 STMicroelectronics 生产的高性能、低功耗的双极型晶体管(BJT)阵列芯片。该器件集成了多个晶体管,适用于需要高可靠性和紧凑设计的模拟和数字电路应用。PDTB123YQAZ 采用先进的制造工艺,具有出色的电气性能和稳定性,广泛用于工业控制、通信设备和消费电子产品中。

参数

类型:双极型晶体管阵列
  晶体管数量:4个
  晶体管类型:NPN 和 PNP 组合
  最大集电极电流:100 mA
  最大集电极-发射极电压:50 V
  最大基极电流:5 mA
  最大功耗:300 mW
  工作温度范围:-55°C 至 150°C
  封装类型:TSSOP
  引脚数:14

特性

PDTB123YQAZ 的主要特性包括其集成的晶体管阵列设计,这使得该芯片在电路设计中非常灵活和高效。由于其内部晶体管的匹配性良好,可以在多种应用中实现精确的电流控制和信号处理。此外,该器件具有低饱和压降和高增益特性,能够在低电压和低电流条件下提供出色的性能,从而降低整体功耗并提高系统的能效。
  该芯片的另一个显著特点是其封装形式为 TSSOP(薄型小外形封装),这种封装形式不仅节省空间,还提供了良好的热管理和电气性能。这使得 PDTB123YQAZ 非常适合用于高密度 PCB 设计,尤其是在对尺寸和功耗有严格要求的应用中。
  此外,PDTB123YQAZ 还具有较高的抗静电能力(ESD)和较强的环境适应性,能够在恶劣的工作条件下保持稳定运行。这些特性使其成为工业自动化、汽车电子和便携式设备等领域的理想选择。

应用

PDTB123YQAZ 被广泛应用于各种电子设备中,包括工业控制系统、通信模块、传感器接口电路、电源管理单元以及消费类电子产品。其集成的晶体管阵列设计特别适合需要多个晶体管协同工作的电路,例如逻辑门电路、驱动电路、放大电路以及开关电路等。此外,由于其低功耗和高可靠性,PDTB123YQAZ 也常用于电池供电设备和嵌入式系统中。

替代型号

PDTB123YQAZ 的替代型号包括 PDTB124YQAZ 和 PDTB125YQAZ,这些型号在功能和性能上与 PDTB123YQAZ 类似,但在晶体管配置或电气参数上可能略有不同,具体选择应根据应用需求进行评估。

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PDTB123YQAZ参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格5,000 : ¥0.46019卷带(TR)
  • 系列Automotive, AEC-Q101
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 晶体管类型PNP - 预偏压
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值)500 mA
  • 电压 - 集射极击穿(最大值)50 V
  • 电阻器 - 基极 (R1)2.2 kOhms
  • 电阻器 - 发射极 (R2)10 kOhms
  • 不同?Ic、Vce?时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)70 @ 50mA,5V
  • 不同?Ib、Ic 时?Vce 饱和压降(最大值)100mV @ 2.5mA,50mA
  • 电流 - 集电极截止(最大值)500nA
  • 频率 - 跃迁150 MHz
  • 功率 - 最大值325 mW
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳3-XDFN 裸露焊盘
  • 供应商器件封装DFN1010D-3