时间：2025/9/14 16:56:00
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PDTB114EUF 是一款由 ROHM（罗姆）半导体公司生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件专为高效率、高频开关应用设计，适用于电源转换、DC-DC 转换器、负载开关和马达驱动等场景。PDTB114EUF 采用紧凑型 TSON 封装（热增强型表面贴装封装），具有良好的热性能和空间利用率，非常适合在空间受限的电子产品中使用。
类型：N 沟道 MOSFET
漏源电压（Vds）：30V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：4.1A（在 25°C）
导通电阻（Rds(on)）：56mΩ（典型值，Vgs=10V）
功耗（Pd）：2.5W
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装：TSON（热增强型表面贴装）
PDTB114EUF 的主要特性之一是其低导通电阻（Rds(on)），这有助于降低导通损耗，提高系统效率。该器件的栅极电荷（Qg）较低，使得在高频开关应用中驱动功率更小，从而进一步提升整体效率。
此外，PDTB114EUF 采用了 ROHM 独有的先进工艺技术，具有优异的热稳定性和可靠性。TSON 封装不仅提供了良好的散热能力，还具备小型化和轻量化的特点，适合现代便携式设备和高密度电路设计。
该 MOSFET 具有良好的抗雪崩能力和过载保护特性，能够在较严苛的工作条件下保持稳定运行。其栅极驱动电压范围较宽（通常为 4.5V 至 20V），适用于多种控制电路和驱动器设计。
由于其出色的性能和稳定性，PDTB114EUF 在汽车电子、工业自动化、消费类电子产品和通信设备中广泛应用。
PDTB114EUF 主要应用于 DC-DC 转换器、同步整流器、负载开关、电源管理系统、电池供电设备、电机驱动器以及各种低电压高效率电源转换电路。在汽车电子系统中，它常用于车载充电器、LED 照明驱动和车身控制模块等场景。
此外，PDTB114EUF 还可用于高性能电源管理单元（PMU）和嵌入式系统中的开关电源（SMPS）设计。由于其低导通电阻和高频响应特性，该器件在节能型电源适配器和绿色能源系统中也表现出色。
在工业自动化领域，PDTB114EUF 被广泛用于可编程逻辑控制器（PLC）、伺服电机驱动器和工业电源模块。在消费类电子产品中，如智能手机、平板电脑和智能穿戴设备中，该 MOSFET 也常用于高效能电源管理和电池保护电路。
Si2302DS, FDS6675, AO3400A, IRLML6401
