时间：2025/9/15 0:46:10
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PDTB114ET 是一款由 ROHM（罗姆）公司生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于高效率、高频开关应用。该器件采用小型表面贴装封装（如 TSMT4 封装），适合用于电源管理、DC-DC 转换器、负载开关、电池管理系统等场合。PDTB114ET 以其低导通电阻、良好的热稳定性和高频响应特性，在工业控制和消费类电子产品中广泛应用。
类型：N 沟道增强型 MOSFET
漏源电压（VDS）：20V
栅源电压（VGS）：±12V
连续漏极电流（ID）：4A
导通电阻（RDS(on)）：最大 60mΩ（在 VGS=4.5V 时）
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装形式：TSMT4（表面贴装）
PDTB114ET MOSFET 具有优异的导通性能和开关特性。其低导通电阻 RDS(on) 可显著降低导通损耗，提高系统效率，适用于电池供电设备和高效电源设计。该器件的栅极电荷（Qg）较低，有助于实现高速开关操作，减少开关损耗。
此外，PDTB114ET 采用 ROHM 的先进沟槽工艺技术，提高了器件的热稳定性和可靠性。其小型 TSMT4 封装不仅节省 PCB 空间，而且便于自动化生产，适用于高密度电子设备。
该 MOSFET 支持宽范围的工作温度，可在恶劣环境下稳定运行，适用于工业级应用。其栅极驱动电压范围较宽（通常 2.5V 至 10V），可与多种驱动 IC 兼容，适用于数字控制电源和负载开关电路。
PDTB114ET 主要应用于电源管理系统，如 DC-DC 转换器、同步整流器、负载开关、电机驱动电路以及电池供电设备。它也常用于消费类电子产品（如笔记本电脑、平板电脑、智能手机充电器）中的高效能电源管理模块。此外，该器件还可用于 LED 照明驱动、工业自动化控制电路和传感器电源控制等领域。
PDTB114ET 的替代型号包括 PDTB114ES、PDTB114EU、Si2302DS、FDMS3610、IRLML2402
