时间：2025/9/14 16:57:47
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PDTB113ZQAZ 是一款由 Diodes 公司生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET，专为高效率电源管理和开关应用而设计。该器件采用先进的沟槽技术，提供了低导通电阻（Rds(on)）和优异的热性能，适合用于 DC-DC 转换器、负载开关、电池管理系统以及电机控制等场合。PDTB113ZQAZ 采用 8 引脚 TSSOP 封装，适用于表面贴装技术，具备良好的热管理能力。
类型：N 沟道增强型 MOSFET
漏源电压（Vds）：30 V
栅源电压（Vgs）：±20 V
漏极电流（Id）@25°C：6.1 A
导通电阻（Rds(on)）@Vgs=4.5V：27 mΩ
导通电阻（Rds(on)）@Vgs=2.5V：39 mΩ
栅极电荷（Qg）：15 nC
工作温度范围：-55°C ~ 150°C
封装类型：8-TSSOP
PDTB113ZQAZ 采用先进的沟槽式 MOSFET 技术，显著降低了导通电阻，从而减少了导通损耗，提高了能效。其低栅极电荷（Qg）特性使其在高频开关应用中表现优异，有助于降低开关损耗。该器件在 4.5V 和 2.5V 的栅极驱动电压下均能保持较低的 Rds(on)，使其适用于低电压驱动电路，如由微控制器直接控制的系统。
该 MOSFET 在 8-TSSOP 封装中集成了良好的热性能，确保在高电流工作条件下仍能保持稳定运行。此外，PDTB113ZQAZ 支持逻辑电平驱动，能够与多种控制 IC 兼容，简化了设计流程。其高可靠性与小型封装设计使其在空间受限的便携式设备和高密度电源系统中具有广泛应用前景。
PDTB113ZQAZ 广泛应用于多种电源管理系统和开关电路中，包括 DC-DC 降压/升压转换器、同步整流器、电池供电设备中的负载开关、马达驱动器以及功率管理单元。由于其支持低电压驱动，常用于由微控制器或 DSP 控制的数字电源系统中，例如智能穿戴设备、移动电源、无人机控制系统和工业自动化设备。
在汽车电子领域，该器件可用于车载充电器、LED 照明驱动、电动助力转向系统（EPS）等应用。此外，其高能效和紧凑设计也使其成为通信设备、服务器电源模块以及绿色能源系统中的理想选择。
PDTB113ZQ, PDM3403, FDS6675, Si2302DS, AO4406
